Телеграм Чат
Артикул:
HMABAGL7CBR4N-XN
Производитель:
Hynix
EAN:
2000011888152
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
141 400 ₽
Форм фактор
DIMM
Тип памяти
Registred
Модель
HMABAGL7CBR4N-XN
Тип
Модуль памяти
Количество ранков
4
Игровая (для геймеров)
Нет
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Все характеристики

Модуль памяти Hynix HMABAGL7CBR4N-XN — это профессиональный компонент для создания высокопроизводительных и надежных серверных решений. Модуль объемом 128 ГБ стандарта DDR4 с эффективной частотой 3200 МГц и поддержкой ECC-коррекции ошибок обеспечивает стабильную работу в условиях интенсивных нагрузок и непрерывной обработки данных. Регистровая (Registered) архитектура гарантирует максимальную отказоустойчивость и целостность информации в корпоративных системах и дата-центрах.

Надежность для критически важных систем

Модуль памяти Hynix HMABAGL7CBR4N-XN создан для работы в серверных платформах, где на первый план выходят стабильность и бесперебойность. Регистровая буферизация сигналов снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, позволяя устанавливать большие объемы RAM и повышая общую надежность системы. Поддержка ECC (код коррекции ошибок) автоматически обнаруживает и исправляет одноразрядные сбои, предотвращая corruption данных и незапланированные простои.

Высокая производительность и эффективность

Модуль обеспечивает высокую пропускную способность для требовательных задач:

  • Скорость передачи данных: Эффективная частота 3200 МГц и пропускная способность 25600 МБ/с ускоряют обработку больших массивов информации в виртуализации, базах данных и вычислительных задачах.
  • Оптимизированные тайминги: CAS Latency (CL) 22 обеспечивает баланс между высокой частотой и скоростью отклика для серверных рабочих нагрузок.
  • Энергоэффективность: Напряжение питания 1.2 В соответствует современным стандартам, снижая энергопотребление и тепловыделение в стойке.

Конструкция и совместимость

Модуль выполнен в стандартном форм-факторе 288-контактного DIMM. Архитектура с 4 ранками (4 Rank) оптимизирована для серверных материнских плат, поддерживающих большой объем памяти на канал. Поставляется в OEM-виде, что делает его идеальным выбором для сборщиков систем, интеграторов и модернизации существующего парка оборудования.

Технические характеристики

Тип Модуль памяти
Модель HMABAGL7CBR4N-XN
Тип памяти Registred (RDIMM)
Форм-фактор DIMM
Стандарт памяти DDR4
Объем одного модуля, ГБ 128
Количество модулей в комплекте, шт 1
Суммарный объем, ГБ 128
Эффективная частота, МГц 3200
Пропускная способность, Мб/с 25600
Поддержка ECC Да
Количество ранков 4
Количество контактов 288
CAS Latency (CL) 22
Напряжение питания, В 1.2
Наличие радиатора Нет
Вид поставки OEM
Комплект поставки Модуль памяти

Часто задаваемые вопросы

В чем отличие Registred (RDIMM) памяти от Unbuffered (UDIMM)?

Registred (RDIMM) модули содержат регистр-буфер между контроллером памяти и чипами DRAM. Это снижает электрическую нагрузку, повышает стабильность и позволяет устанавливать больший объем памяти на серверную плату. Unbuffered (UDIMM) память такой буфер не имеет и обычно используется в настольных ПК.

Что означает поддержка ECC?

ECC (Error-Correcting Code) — это технология коррекции ошибок. Память с ECC способна обнаруживать и автоматически исправлять одноразрядные ошибки, возникающие из-за помех или сбоев. Это критически важно для серверов, рабочих станций и систем, где целостность данных является приоритетом.

Подойдет ли этот модуль для игрового или домашнего ПК?

Нет, этот модуль является серверным (RDIMM) и требует поддержки со стороны материнской платы и процессора. Подавляющее большинство потребительских (десктопных) материнских плат поддерживают только память типа Unbuffered (UDIMM) и не совместимы с Registred (RDIMM) модулями.

Основные характеристики

Форм фактор
DIMM
Тип памяти
Registred
Модель
HMABAGL7CBR4N-XN
Тип
Модуль памяти
Количество ранков
4
Игровая (для геймеров)
Нет
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Ширина, мм
133.35
Комплект поставки
Модуль памяти
Поддержка ECC
Да
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
128
Наличие радиатора
Нет
Подсветка
Нет
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
128
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память Fujitsu 128GB CA08260-D024
CA08260-D024
В наличии
15 580 ₽
Память оперативная Samsung 64GB DDR4 RDIMM M386A8K40DM2-CWEZY
M386A8K40DM2-CWEZY
В наличии
93 010 ₽
Память оперативная Kingston 64GB DIMM DDR5 KSM56R46BD4-64MD
KSM56R46BD4-64MD
В наличии
289 330 ₽
Память оперативная Samsung 16GB DDR4 RDIMM M393A2K40EB3-CWEGY
M393A2K40EB3-CWEGY
В наличии
56 310 ₽
Память оперативная Kingston 48GB DIMM DDR5 KSM56E46BD8KM-48HM
KSM56E46BD8KM-48HM
В наличии
72 360 ₽
Оперативная память Dell 32GB 370-BBRY
370-BBRY
В наличии
141 400 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR5 DIMM M321RAGA0B20-CWK
M321RAJA0MB0-CWM
В наличии
503 010 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB0-CWMHY
M321RAJA0MB0-CWMHY
В наличии
507 200 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB2-CCPWC
M321RAJA0MB2-CCPWC
В наличии
520 040 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 RDIMM 128GB M321RAJA0MB0-CWMNY
M321RAJA0MB0-CWMNY
В наличии
520 040 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 RDIMM M393AAG40M32-CAECO
M393AAG40M32-CAECO
В наличии
110 340 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 128GB M386AAG40BM3-CWE
M386AAG40BM3-CWE
В наличии
239 120 ₽
Модуль памяти Dell 32GB RDIMM DDR5 370-BCCY
370-BCCY
В наличии
50 020 ₽
Оперативная память Micron 96GB DDR5 RDIMM MTC40F204WS1RC56BR
MTC40F204WS1RC56BR
В наличии
343 400 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 LRDIMM M386AAG40BM3-CWEZY
M386AAG40BM3-CWEZY
В наличии
141 400 ₽
Вы смотрели
0
0