Оперативная память Samsung DDR5 RDIMM 128GB M321RAJA0MB0-CWMNY

Оперативная память Samsung DDR5 128 ГБ RDIMM 5600 МГц (M321RAJA0MB0-CWMNY)

Модуль оперативной памяти Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY — это высокопроизводительный серверный модуль формата DDR5 RDIMM ёмкостью 128 ГБ, разработанный для современных enterprise-платформ на базе процессоров Intel Xeon Scalable 4-го поколения (Sapphire Rapids) и AMD EPYC 9004 (Genoa). Благодаря частоте 5600 МГц, улучшенной архитектуре DDR5 и низкому напряжению 1.1 В, модуль обеспечивает рекордную пропускную способность, энергоэффективность и масштабируемость для самых требовательных вычислительных задач — от виртуализации и аналитики больших данных до ИИ и HPC.

Технология RDIMM (Registered DIMM) с поддержкой ECC снижает электрическую нагрузку на memory controller и обеспечивает автоматическое исправление однобитовых ошибок, что критически важно для стабильности в круглосуточно работающих серверах. DDR5 вносит революционные изменения по сравнению с DDR4: удвоенную ширину банка, два независимых 32-битных субканала на модуль, улучшенное управление питанием и встроенную схему управления напряжением (PMIC). Модуль Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY полностью соответствует стандартам JEDEC и прошёл строгие тесты совместимости с ведущими серверными платформами.

Ключевые особенности

• Тип памяти: DDR5 RDIMM (Registered ECC DIMM)
• Ёмкость: 128 ГБ
• Частота: 5600 МГц (PC5-44800)
• Напряжение: 1.1 В — повышенная энергоэффективность
• Архитектура: 2R (двухранговая, 2x64 бита с двумя субканалами)
• Форм-фактор: 288-pin DIMM (совместим с DDR5-слотами)
• Поддержка ECC: да — коррекция ошибок на аппаратном уровне
• PMIC: встроенный регулятор напряжения на модуле
• Артикул: M321RAJA0MB0-CWMNY

Технические характеристики

Основные параметры

• Производитель: Samsung
• Модель: M321RAJA0MB0-CWMNY
• Тип: DDR5 SDRAM RDIMM
• Ёмкость: 128 ГБ
• Скорость передачи данных: 5600 МТ/с (мегатранзакций в секунду)
• Пропускная способность: до 44.8 ГБ/с на модуль
• Напряжение питания: 1.1 В ±0.03 В
• Форм-фактор: 288-pin DIMM

Архитектура DDR5 и надёжность

• Ранги: 2R (двухранговый)
• Субканалы: 2 независимых 32-битных канала (всего 64 бита + ECC)
• ECC: поддерживается — исправление однобитовых ошибок
• Registered: да — буферизация адреса и управления через RCD (Registering Clock Driver)
• PMIC: интегрирован на модуле — стабильное питание и снижение шума
• Тайминги (предположительные): CL46-46-46
• Температурный диапазон: 0°C – 85°C

Совместимость и применение

• Поддерживаемые платформы:
  • Intel Xeon Scalable 4th Gen (Sapphire Rapids)
  • AMD EPYC 9004 Series (Genoa)
• Совместимые серверы:
  • Dell PowerEdge R760, R660, R960
  • HPE ProLiant DL380 Gen11, DL360 Gen11
  • Lenovo ThinkSystem SR650 V3, SR860 V3
  • Supermicro SYS-221H-TNR, AS-4125HS-TNR
• Типичные сценарии: облачные вычисления, ИИ/ML inference, SAP HANA, виртуализация, HPC, СУБД нового поколения

Физические параметры

• Высота модуля: стандартная (31.25 мм) или Low Profile (18.75 мм) — зависит от поставки
• Материал печатной платы: многослойная FR4 с улучшенным теплоотводом
• Маркировка: сертифицировано по JEDEC, RoHS, CE
• Упаковка: антистатическая, вакуумная с силикагелем

Преимущества модуля Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY

• Высокая пропускная способность DDR5: до 44.8 ГБ/с — на 75% выше, чем у DDR4-3200.
• Энергоэффективность: 1.1 В — снижение энергопотребления и тепловыделения в ЦОД.
• Улучшенная архитектура: два субканала повышают параллелизм и снижают задержки.
• Встроенная PMIC: стабильное питание и совместимость с новыми серверными платформами.
• Надёжность Samsung: производство по строгим стандартам с полной трассировкой качества.

Применение

Модуль памяти Samsung DDR5 128 ГБ RDIMM идеально подходит для:

• Центров обработки данных нового поколения: высокая плотность, низкое TCO, масштабируемость.
• Облачных и гипермасштабируемых платформ: AWS, Azure, Google Cloud — on-prem аналоги.
• Систем ИИ и машинного обучения: ускорение inference-задач на CPU с большим объёмом ОЗУ.
• In-memory баз данных: SAP HANA, Redis, Oracle — с обработкой терабайтов данных в памяти.
• Научных и инженерных вычислений: моделирование, геномика, финансовый анализ в реальном времени.

Заключение

Оперативная память Samsung DDR5 128 ГБ RDIMM 5600 МГц (M321RAJA0MB0-CWMNY) — это стратегический компонент для ИТ-инфраструктур будущего. Сочетая передовую архитектуру DDR5, поддержку ECC, registered-буферизацию и энергоэффективность, она обеспечивает беспрецедентную производительность и надёжность в enterprise-средах. Независимо от того, разворачиваете ли вы облачную платформу, систему аналитики или HPC-кластер — этот модуль от Samsung станет основой высокопроизводительной и отказоустойчивой вычислительной среды. Выберите DDR5 от мирового лидера — и подготовьте свою инфраструктуру к вызовам завтрашнего дня.