Телеграм Чат
Артикул:
M386AAG40BM3-CWEZY
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
141 400 ₽
Форм фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Registered
Пропускная способность
25600 МБ/с
Технология производства
10 нм
Все характеристики

Оперативная память Samsung 128GB DDR4 LRDIMM M386AAG40BM3-CWEZY — это высокопроизводительный модуль памяти для корпоративных серверов и рабочих станций. Обеспечивает исключительную пропускную способность и надежность для обработки больших данных, виртуализации и работы с требовательными базами данных. Модуль оснащен функцией коррекции ошибок (ECC) и буферизацией (Registered), что гарантирует целостность данных и стабильность работы в круглосуточном режиме.

Надежность для критически важных задач

Модуль памяти Samsung LRDIMM создан для развертывания в высоконагруженных серверных средах. Использование технологии LRDIMM (Load Reduced) снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, позволяя устанавливать больший объем памяти на канал без потери стабильности. Это идеальное решение для построения серверов с максимальным объемом оперативной памяти.

Высокая плотность и производительность

Модуль объемом 128 ГБ построен на передовой технологии:

  • Большой объем: 128 ГБ на один модуль позволяет значительно увеличить общую память системы, сокращая количество слотов, необходимых для достижения целевого объема.
  • Скорость передачи данных: Эффективная частота 3200 МГц обеспечивает высокую пропускную способность до 25600 МБ/с, ускоряя обработку запросов и вычисления.
  • Продвинутая организация: Конфигурация 4Rx4 (Quad Rank) оптимизирована для серверных платформ, обеспечивая эффективный доступ к данным.

Корпоративный уровень надежности

Модуль оснащен полным набором технологий для безотказной работы. ECC (Error-Correcting Code) автоматически обнаруживает и исправляет одно- и много-битовые ошибки, предотвращая сбои и потерю данных. Буферизация (Registered) повышает целостность сигнала в системах с большим количеством модулей. Наличие теплораспределителя способствует оптимальному тепловому режиму.

Совместимость и эффективность

Разработан для серверных платформ на базе процессоров Intel архитектуры Purley (Skylake-SP/Cascade Lake-SP). Низкое напряжение питания 1.2 В и современный 10 нм техпроцесс производства чипов способствуют снижению общего энергопотребления центра данных.

Технические характеристики

Тип памяти DDR4
Объем 128 ГБ
Форм-фактор LRDIMM (Load Reduced)
Тактовая частота 3200 МГц
Организация / Ранк 4Rx4 / Quad Rank
Буферизация / ECC Registered (RDIMM) / С поддержкой ECC
Напряжение питания 1.2 В
Тайминги (латентность) 22-22-22
Тип и количество чипов 16 Гбит / 36 чипов
Теплораспределитель Есть
Пропускная способность 25600 МБ/с
Совместимость (Intel) Purley (Skylake/Cascadelake)
Техпроцесс 10 нм
Версия регистра 1.2
Номер детали M386AAG40AM3-CWE

Часто задаваемые вопросы

В чем отличие LRDIMM от обычного RDIMM?

LRDIMM (Load Reduced) использует дополнительный буфер для данных (DB), что значительно снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти по сравнению с RDIMM (Registered). Это позволяет устанавливать больше модулей на канал памяти или модули большей плотности (например, 128 ГБ) без риска потери стабильности сигнала.

Совместима ли эта память с моим сервером?

Модуль предназначен для серверных платформ, поддерживающих память DDR4 LRDIMM и процессоры Intel Xeon Scalable поколений Skylake (серия 4100/5100/6100) и Cascade Lake (серия 4200/5200/6200). Перед покупкой необходимо свериться со списком совместимых модулей (QVL) вашей материнской платы или сервера.

Что означают тайминги 22-22-22?

Это задержки памяти (CL-RCD-RP), измеряемые в тактах. Они указывают на время, которое требуется для доступа к данным. Для серверной памяти высокой плотности (128 ГБ) и частоты 3200 МГц тайминги 22-22-22 являются стандартными и обеспечивают оптимальный баланс между высокой пропускной способностью и приемлемой латентностью.

Основные характеристики

Форм фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Registered
Пропускная способность
25600 МБ/с
Технология производства
10 нм
ранк
Quad Rank
Теплораспределитель
Есть
Организация
4Rx4
Версия процессора (Intel)
Purley (Skylake/Cascadelake)
Тип чипа
16 Гбит
Версия регистра
1.2
Коррекция ошибок
ECC
Количество чипов
36
Латентность (тайминги)
22-22-22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память Micron DDR5 RDIMM 64GB MTC40F2046S1RC56BD1 OEM
MTC40F2046S1RC56BD1
В наличии
278 590 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR4 RDIMM MTA36ASF8G72PZ-3G2R
MTA36ASF8G72PZ-3G2R
В наличии
68 680 ₽
Оперативная память Samsung 64GB DDR5 RDIMM M321R8GA0PB0-CWM
M321R8GA0PB0-CWM
В наличии
181 800 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR5 RDIMM MTC40F2046S1RC48BA1 OEM
MTC40F2046S1RC48BA1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Hynix 64GB RDIMM HMAA8GR7CJR4N-XN
HMAA8GR7CJR4N-XN
В наличии
61 250 ₽
Оперативная память 64GB Dell RDIMM DDR5 370-BBRN
370-BBRN
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M321R8GA0EB2-CCP
M321R8GA0EB2-CCP
В наличии
295 230 ₽
Оперативная память Samsung RDIMM DDR5 64GB M321R8GA0BB0-CQK
M321R8GA0BB0-CQK.
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 96GB SK Hynix DDR5 RDIMM HMCGM4MGBRB
HMCGM4MGBRB
В наличии
343 400 ₽
Оперативная память Samsung 96GB DDR5 RDIMM M321RYGA0PB2-CCP
M321RYGA0PB2-CCP
В наличии
386 930 ₽
Оперативная память 64GB SK Hynix RDIMM DDR5 HMCG94AHBRA280N
HMCG94AHBRA280N
В наличии
286 950 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M393A8G4DAB2-CWEBY
M393A8G4DAB2-CWEBY
В наличии
68 680 ₽
Оперативная память 64GB SK Hynix DIMM DDR5 HMCG94AHBRA481N
HMCG94AHBRA481N
В наличии
303 000 ₽
Оперативная память 64GB Dell RDIMM DDR5 370-BCCZ
370-BCCZ
В наличии
303 000 ₽
Оперативная память Hynix 64GB RDIMM DDR5 HMCG94MEBQA112N OEM
HMCG94MEBQA112N
В наличии
282 800 ₽
0
0