Телеграм Чат
Артикул:
M321RAJA0MB0-CWM
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2001001258115
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
463 900 ₽
Производитель
Samsung
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M321RAJA0MB0-CWM
Радиатор
нет
Напряжение питания
1.1 В
Количество ранков
2
Тактовая частота
5600 МГц
Все характеристики

Оперативная память Samsung 128GB DDR5 DIMM M321RAGA0B20-CWK — это серверный модуль памяти нового поколения, созданный для критически важных задач и высоконагруженных систем. Обеспечивает исключительную пропускную способность и надежность благодаря поддержке ECC и буферизованной архитектуре. Модуль объемом 128 ГБ на одной планке позволяет максимально эффективно использовать слоты материнской платы для создания конфигураций с терабайтами оперативной памяти.

Надежность для серверов и рабочих станций

Модуль памяти Samsung DDR5 предназначен для профессионального использования в серверах, рабочих станциях и центрах обработки данных. Буферизованная (Registered) архитектура с коррекцией ошибок (ECC) гарантирует целостность данных при непрерывной работе под высокой нагрузкой, минимизируя риск сбоев и потери информации. Это фундамент для стабильной работы виртуализации, баз данных, сложных вычислений и анализа больших данных.

Высокая производительность DDR5

Модуль построен на передовой технологии DDR5, которая предлагает значительный прирост эффективности по сравнению с предыдущим поколением:

  • Скорость передачи данных: Тактовая частота 5600 МГц обеспечивает пропускную способность до 44800 Мб/с, что ускоряет обработку крупных массивов информации.
  • Энергоэффективность: Рабочее напряжение всего 1.1 В способствует снижению общего энергопотребления и тепловыделения в стойке.
  • Высокая плотность: Объем 128 ГБ на одном модуле DIMM позволяет создавать мощные конфигурации с меньшим количеством планок, оптимизируя нагрузку на контроллер памяти.

Конструкция для профессионального применения

Модуль выполнен в стандартном форм-факторе DIMM с 288 контактами. Односторонняя упаковка чипов и отсутствие радиатора делают его совместимым с большинством серверных корпусов и систем охлаждения. Архитектура с двумя ранками оптимизирована для эффективного взаимодействия с современными многоканальными контроллерами памяти процессоров Intel Xeon и AMD EPYC.

Технические характеристики

Производитель / Модель Samsung / M321RAJA0MB0-CWM (PN: M321RAJA0MB0-CWM)
Тип памяти / Форм-фактор DDR5 / DIMM (288-pin)
Тактовая частота / Пропускная способность 5600 МГц / 44800 Мб/с
Объём (модуль / общий) 1 модуль 128 ГБ / 128 ГБ
Поддержка ECC / Буферизация Есть / Буферизованная (Registered)
Тайминги (CAS Latency) CL46
Напряжение питания 1.1 В
Ранки / Упаковка чипов 2 / Односторонняя
Профиль / Радиатор / Подсветка Стандартный / Нет / Нет
Поддержка XMP / EXPO Нет / Нет
Гарантия 1 год

Часто задаваемые вопросы

Для каких систем подходит эта память?

Модуль предназначен для серверов и профессиональных рабочих станций, поддерживающих буферизованную (Registered) память DDR5 с коррекцией ошибок (ECC). Перед покупкой необходимо убедиться в совместимости с вашей материнской платой и процессором (например, Intel Xeon или AMD EPYC).

Что означают ECC и Registered (Buffered)?

ECC (Error-Correcting Code) — технология коррекции ошибок, которая автоматически находит и исправляет сбои в данных. Registered (буферизованная) — архитектура, где модуль имеет буферный регистр для снижения электрической нагрузки на контроллер памяти, что повышает стабильность в системах с большим количеством модулей.

Почему у памяти нет поддержки XMP и высоких частот?

Данный модуль оптимизирован не для разгона, а для максимальной надежности, стабильности и поддержки большого объема в серверных средах. Он работает на стандартных заводских настройках (JEDEC), что гарантирует долгосрочную бесперебойную работу в режиме 24/7.

Основные характеристики

Производитель
Samsung
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M321RAJA0MB0-CWM
Радиатор
нет
Напряжение питания
1.1 В
Количество ранков
2
Тактовая частота
5600 МГц
пропускная способность
44800 Мб/с
Количество контактов
288
Срок гарантии
1 год
Поддержка ECC
есть
Буферизованная (Registered)
да
Подсветка
нет
CAS Latency (CL)
46
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
PN
M321RAJA0MB0-CWM
Объём
1 модуль 128Gb
Общий объём
128 Гб
Поддержка XMP
нет
Поддержка EXPO
нет
Упаковка чипов
односторонняя
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB2-CCPWC
M321RAJA0MB2-CCPWC
В наличии
519 570 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 RDIMM 128GB M321RAJA0MB0-CWMNY
M321RAJA0MB0-CWMNY
В наличии
519 570 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 RDIMM M393AAG40M32-CAEC0
M393AAG40M32-CAEC0
В наличии
233 010 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 RDIMM M393AAG40M32-CAECO
M393AAG40M32-CAECO
В наличии
88 880 ₽
Модуль памяти Dell 32GB RDIMM DDR5 370-BCCY
370-BCCY
В наличии
50 020 ₽
Оперативная память Micron 96GB DDR5 RDIMM MTC40F204WS1RC56BR
MTC40F204WS1RC56BR
В наличии
404 000 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 LRDIMM M386AAG40BM3-CWEZY
M386AAG40BM3-CWEZY
В наличии
88 880 ₽
Оперативная память Micron DDR5 RDIMM 64GB MTC40F2046S1RC56BD1 OEM
MTC40F2046S1RC56BD1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR4 RDIMM MTA36ASF8G72PZ-3G2R
MTA36ASF8G72PZ-3G2R
В наличии
60 600 ₽
Оперативная память Samsung 64GB DDR5 RDIMM M321R8GA0PB0-CWM
M321R8GA0PB0-CWM
В наличии
153 280 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR5 RDIMM MTC40F2046S1RC48BA1 OEM
MTC40F2046S1RC48BA1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Hynix 64GB RDIMM HMAA8GR7CJR4N-XN
HMAA8GR7CJR4N-XN
В наличии
68 680 ₽
Оперативная память 64GB Dell RDIMM DDR5 370-BBRN
370-BBRN
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M321R8GA0EB2-CCP
M321R8GA0EB2-CCP
В наличии
266 480 ₽
Оперативная память Samsung RDIMM DDR5 64GB M321R8GA0BB0-CQK
M321R8GA0BB0-CQK.
В наличии
282 800 ₽
Вы смотрели
0
0