Память 16GB PNY DDR4 2666 DIMM [MD16GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (635538)

Память 16GB PNY DDR4 2666 DIMM [MD16GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL

Технические характеристики

• Серия продукции: Performance
• Тип памяти: Unbuffered
• Форм-фактор: DIMM
• Стандарт памяти: DDR4
• Объем одного модуля, ГБ: 16
• Количество модулей в комплекте, шт: 1
• Суммарный объем, ГБ: 16
• Эффективная частота, МГц: 2666
• Пропускная способность, Мб/с: 21300
• Поддержка ECC: Нет
• Низкопрофильная: Нет
• Количество чипов на модуле, шт: 16
• Количество ранков: 2
• Количество контактов: 288
• CAS Latency (CL): 19
• RAS to CAS Delay (tRCD): 19
• Row Precharge Delay (tRP): 19
• Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
• Напряжение питания, В: 1.2
• Нормальная операционная температура, °C: 85
• Расширенная операционная температура, °C: 95
• Ширина, мм: 133.35
• Высота, мм: 31.25
• Вид поставки: RTL