Телеграм Чат
Артикул:
KSM26SES8/8MR
Производитель:
KINGSTON
EAN:
740617325782
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
2 790 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Частота памяти
2666МГц
Радиатор
Нет
Тип памяти DDR
DDR4
Объём памяти комплекта
8Гб
Количество модулей в комплекте
1
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Все характеристики

Оперативная память 8GB Kingston KSM26SES8/8MR8GB

Оперативная память 8GB Kingston KSM26SES8/8MR8GB — это модуль памяти DDR4 SODIMM объемом 8Гб, предназначенный для использования в ноутбуках и компактных системах. Модуль работает на частоте 2666МГц с таймингами CL19, tRCD19, tRP19 и tRAS40. Подсветка и радиатор отсутствуют. Память не является низкопрофильной.

Технические характеристики

  • Тип памяти: DDR4.
  • Форм-фактор: SODIMM.
  • Объём памяти комплекта: 8Гб.
  • Количество модулей в комплекте: 1.
  • Частота памяти: 2666МГц.
  • CAS Latency (CL): 19.
  • Подсветка элементов платы: Нет.
  • Радиатор: Нет.
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
  • Row Precharge Delay (tRP): 19.
  • Activate to Precharge Delay (tRAS): 40.
  • Низкопрофильная (Low Profile): Нет.

Функциональные возможности

Оперативная память 8GB Kingston KSM26SES8/8MR8GB предоставляет следующие возможности:

  • Высокая скорость: Частота 2666МГц для быстрой обработки данных.
  • Совместимость: Форм-фактор SODIMM обеспечивает совместимость с широким спектром ноутбуков.
  • Надежность: Качество Kingston гарантирует стабильную работу.

Преимущества

Оперативная память 8GB Kingston KSM26SES8/8MR8GB — это отличное решение для:

  • Улучшения производительности ноутбука.
  • Увеличения объема оперативной памяти.
  • Повышения скорости работы приложений.

Благодаря высокой частоте и надежности, модуль памяти обеспечивает стабильную работу системы.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Частота памяти
2666МГц
Радиатор
Нет
Тип памяти DDR
DDR4
Объём памяти комплекта
8Гб
Количество модулей в комплекте
1
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
CAS Latency (CL)
19
Низкопрофильная (Low Profile)
Нет
Подсветка элементов платы
Нет
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память 16GB Samsung RDIMM DDR4 M393A2K40EB3-CWEBY
M393A2K40EB3-CWEBY
В наличии
56 260 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM DDR4 M393A8G40CB4-CWEC0
M393A8G40CB4-CWEC0
В наличии
86 130 ₽
Оперативная память 64Gb Samsung DIMM DDR5 M321R8GA0BB0-CQKZJ
M321R8GA0BB0-CQKZJ
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память HPE DDR5 32GB (1x32GB) P43328-B21
P43328-B21
В наличии
32 470 ₽
Модуль памяти Kingston 32GB DIMM DDR5 KSM56R46BD8PMI-32HAI
KSM56R46BD8PMI-32HAI
В наличии
153 790 ₽
Модуль памяти 16Гб Hynix original HMT42GR7MFR4A-H9
HMT42GR7MFR4A-H9
В наличии
6 390 ₽
Модуль памяти 32Гб Hynix Original HMA84GR7MFR4N-UHTD
HMA84GR7MFR4N-UHTD
В наличии
19 220 ₽
Модуль памяти Hynix 16Гб RDIMM DDR3 HMT42GR7AFR4A-PB
HMT42GR7AFR4A-PB
В наличии
4 390 ₽
Оперативная память Kingston 16Gb DDR3 DIMM KVR16LR11D4/16KF
KVR16LR11D4/16KF
В наличии
5 350 ₽
Модуль памяти 32Гб Hynix Original HMA84GR7AFR4N-VK
HMA84GR7AFR4N-VK
В наличии
20 770 ₽
Оперативная память 128GB HPE LRDIMM DDR4 P00928-H21
P00928-H21
В наличии
68 590 ₽
Оперативная память 128GB HPE DIMM DDR4 P19402-001
P19402-001
В наличии
74 520 ₽
Оперативная память 128GB HPE DIMM DDR4 P11040-B21
P11040-B21
В наличии
41 810 ₽
Модуль памяти Samsung 96GB DIMM DDR5 M321RYGA0PB0-CWM
M321RYGA0PB0-CWM
В наличии
327 930 ₽
Модуль памяти Hynix 128GB DIMM DDR4 HMABAGL7CBR4N-XN
HMABAGL7CBR4N-XN
В наличии
88 880 ₽
Вы смотрели
0
0