Телеграм Чат
Артикул:
HMT42GR7MFR4A-H9
Производитель:
Hynix
EAN:
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
6 490 ₽
Форм-фактор
DIMM
Частота памяти
1333 
Радиатор
Нет
Напряжение питания
1.35 
Тип памяти DDR
DDR3L
Объём памяти комплекта
16 
Количество модулей в комплекте
1
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Все характеристики

Модуль памяти Hynix Original HMT42GR7MFR4A-H9 — это надежный и энергоэффективный модуль оперативной памяти объемом 16 ГБ. Созданный на основе качественных чипов от ведущего производителя, он обеспечивает стабильную работу вашей системы благодаря строгому соответствию спецификациям и низкому напряжению питания. Идеальное решение для модернизации настольных ПК, рабочих станций и серверов, требующих увеличения объема памяти без компромиссов в надежности.

Надежность и совместимость от Hynix

Модуль Hynix Original HMT42GR7MFR4A-H9 представляет собой продукт, прошедший полный цикл производства и тестирования у одного из мировых лидеров в области памяти. Это гарантирует его полное соответствие заявленным характеристикам, отличную совместимость с широким спектром материнских плат и долгосрочную стабильность работы даже под продолжительной нагрузкой.

Энергоэффективная архитектура DDR3L

Модуль построен на современной технологии DDR3L, которая обеспечивает:

  • Сниженное энергопотребление: Рабочее напряжение всего 1.35 В позволяет уменьшить общую нагрузку на систему и выделение тепла по сравнению со стандартными модулями DDR3.
  • Высокую пропускную способность: Частота 1333 МГц обеспечивает быстрый обмен данными между процессором и памятью для отзывчивой работы системы.
  • Оптимизированные тайминги: Низкие задержки (CL9) способствуют уменьшению времени отклика памяти, положительно влияя на общую производительность в задачах, чувствительных к скорости доступа к данным.

Конструкция и универсальность

Модуль выполнен в стандартном форм-факторе DIMM, что делает его совместимым с большинством настольных компьютеров и серверных платформ, поддерживающих память DDR3L. Отсутствие радиатора упрощает установку даже в корпуса с ограниченным пространством. Один модуль объемом 16 ГБ позволяет как выполнить точечную модернизацию, так и построить многоканальную конфигурацию высокой емкости при использовании нескольких плашек.

Технические характеристики

Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM
Объём памяти комплекта 16 ГБ
Количество модулей в комплекте 1
Частота памяти 1333 МГц
CAS Latency (CL) 9
Радиатор Нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 24
Напряжение питания 1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile) Нет

Часто задаваемые вопросы

Совместим ли этот модуль DDR3L с разъемами для обычной DDR3?

Да, модули памяти DDR3L (напряжение 1.35 В) являются обратно совместимыми и могут работать в слотах, предназначенных для стандартной DDR3 (напряжение 1.5 В), при условии поддержки со стороны материнской платы. Однако для гарантированной работы и достижения заявленной энергоэффективности рекомендуется использовать платы с официальной поддержкой DDR3L.

Можно ли использовать несколько таких модулей вместе?

Да, вы можете установить несколько модулей Hynix Original HMT42GR7MFR4A-H9 для увеличения общего объема оперативной памяти. Для активации многоканального режима (Dual-Channel, Triple-Channel) и получения прироста производительности устанавливайте модули в соответствующие слоты на материнской плате, как указано в ее руководстве.

В чем преимущество низких таймингов (CL9)?

Тайминги, особенно CAS Latency (CL), определяют задержки при доступе к данным в памяти. Более низкое значение CL (9 против, например, 11 или 12) означает, что память быстрее отвечает на запросы процессора. Это может положительно сказаться на скорости выполнения задач, чувствительных к скорости работы памяти, таких как рендеринг, работа с большими базами данных или некоторые научные вычисления.

Основные характеристики

Форм-фактор
DIMM
Частота памяти
1333 
Радиатор
Нет
Напряжение питания
1.35 
Тип памяти DDR
DDR3L
Объём памяти комплекта
16 
Количество модулей в комплекте
1
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
CAS Latency (CL)
9
Низкопрофильная (Low Profile)
Нет
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти 32Гб Hynix Original HMA84GR7MFR4N-UHTD
HMA84GR7MFR4N-UHTD
В наличии
19 540 ₽
Модуль памяти Hynix 16Гб RDIMM DDR3 HMT42GR7AFR4A-PB
HMT42GR7AFR4A-PB
В наличии
4 460 ₽
Модуль памяти 32Гб Hynix Original HMA84GR7AFR4N-VK
HMA84GR7AFR4N-VK
В наличии
21 120 ₽
Оперативная память 128GB HPE LRDIMM DDR4 P00928-H21
P00928-H21
В наличии
68 590 ₽
Оперативная память 128GB HPE DIMM DDR4 P19402-001
P19402-001
В наличии
74 520 ₽
Оперативная память 128GB HPE DIMM DDR4 P11040-B21
P11040-B21
В наличии
41 810 ₽
Модуль памяти Samsung 96GB DIMM DDR5 M321RYGA0PB0-CWM
M321RYGA0PB0-CWM
В наличии
343 400 ₽
Модуль памяти Hynix 128GB DIMM DDR4 HMABAGL7CBR4N-XN
HMABAGL7CBR4N-XN
В наличии
173 720 ₽
Память оперативная Samsung 64GB DDR4 RDIMM M386A8K40DM2-CWEZY
M386A8K40DM2-CWEZY
В наличии
95 930 ₽
Память оперативная Kingston 64GB DIMM DDR5 KSM56R46BD4-64MD
KSM56R46BD4-64MD
В наличии
294 420 ₽
Память оперативная Samsung 16GB DDR4 RDIMM M393A2K40EB3-CWEGY
M393A2K40EB3-CWEGY
В наличии
57 460 ₽
Оперативная память Dell 32GB 370-BBRY
370-BBRY
В наличии
106 110 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR5 DIMM M321RAGA0B20-CWK
M321RAJA0MB0-CWM
В наличии
476 910 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB0-CWMHY
M321RAJA0MB0-CWMHY
В наличии
477 540 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB2-CCPWC
M321RAJA0MB2-CCPWC
В наличии
477 540 ₽
Вы смотрели
0
0