Телеграм Чат
Артикул:
M378A2K43CB1-CTD
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
6 280 ₽
Вендор
SAMSUNG
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем
16384 МБ
Буферизация
unbuffered
Латентность
CL16
Количество в упаковке
1
Тип поставки
OEM
Все характеристики

Модуль памяти Samsung DDR4 16GB UNB 2666, 1.2V

Модуль памяти Samsung DDR4 16GB UNB 2666, 1.2V — это высококачественный компонент для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций, обеспечивающий стабильную и высокоскоростную работу системы. Этот модуль памяти разработан с использованием передовых технологий, что делает его идеальным выбором для современных вычислительных задач.

Основные характеристики

  • Тип памяти: DDR4
  • Объем памяти: 16 ГБ
  • Частота: 2666 МГц
  • Напряжение: 1.2 В
  • Форм-фактор: UNB (Unbuffered Non-ECC)
  • Тайминги: CL19 (19-19-19)
  • Совместимость: Совместим с большинством современных материнских плат, поддерживающих DDR4

Преимущества

  • Высокая производительность: Частота 2666 МГц обеспечивает быструю передачу данных, что особенно важно для ресурсоемких приложений и многозадачности.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение 1.2 В снижает энергопотребление, что делает модуль экологически безопасным и экономичным.
  • Надежность: Samsung известен своим качеством и долговечностью продукции, что гарантирует стабильную работу модуля памяти на протяжении многих лет.
  • Универсальность: Подходит для использования в различных системах, включая игровые ПК, рабочие станции и серверы.

Применение

Модуль памяти Samsung DDR4 16GB UNB 2666, 1.2V идеально подходит для:

  • Модернизации существующих систем для повышения производительности.
  • Сборки новых компьютеров, требующих высокой скорости обработки данных.
  • Использования в серверных решениях, где важна стабильность и надежность.
  • Решения задач, связанных с обработкой больших объемов данных, таких как видеомонтаж, 3D-моделирование и научные вычисления.

Заключение

Модуль памяти Samsung DDR4 16GB UNB 2666, 1.2V — это надежное и производительное решение для современных вычислительных систем. Его высокая скорость, низкое энергопотребление и совместимость с широким спектром устройств делают его отличным выбором как для профессионального, так и для домашнего использования.

Основные характеристики

Вендор
SAMSUNG
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем
16384 МБ
Буферизация
unbuffered
Латентность
CL16
Количество в упаковке
1
Тип поставки
OEM
Количество контактов
288-pin
Срок гарантии
24 мес.
Частотная спецификация
2666
Показатель скорости
PC4-21300
Количество рангов (Ranks)
dual rank
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Память DDR4 8Gb 2400MHz AMD R748G2400S2S-UO OEM PC4-19200 CL16 SO-DIMM 260-pin 1.2В
R748G2400S2S-UO
В наличии
5 650 ₽
Память DDR4 16Gb 2400MHz AMD R7416G2400S2S-UO OEM PC4-19200 CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В
R7416G2400S2S-UO
В наличии
11 240 ₽
Память 8GB AMD DDR4 DIMM R7 Performance Series R748G2133U2S-U
R748G2133U2S-U
В наличии
5 550 ₽
Память DDR4 16Gb 2400MHz AMD R7416G2400U2S-UO OEM PC4-19200 CL15 DIMM 288-pin 1.2В
R7416G2400U2S-UO
В наличии
11 240 ₽
Модуль памяти DIMM DDR3 4GB PC3-12800 Geil GN34GB1600C11S
GN34GB1600C11S
В наличии
1 160 ₽
Память 8Gb AMD DIMM DDR4 R748G2133U2S-UO OEM
R748G2133U2S-UO
В наличии
5 370 ₽
Память SO-DIMM 16GB GeIL DDR4 2400 SO DIMM GS416GB2400C17S Non-ECC, CL17, 1.2V, Bulk
GS416GB2400C17S
В наличии
16 960 ₽
Память 16GB AMD DDR4 DIMM R7 Performance Series Black R7416G2400U2S-U
R7416G2400U2S-U
В наличии
9 860 ₽
Память DDR4 8GB GeIL DDR4 2666 DIMM GN48GB2666C19S Non-ECC, CL19, 1.2V, Bulk
GN48GB2666C19S
В наличии
8 170 ₽
Память SO-DIMM GS48GB2666C19S , Bulk
GS48GB2666C19S
В наличии
8 210 ₽
0
0