Нет в наличии
10 060 ₽
Высота
30 ммГарантия?
ДаТип упаковки
РозничнаяГарантийный срок
24 мес.Критерий оценки гарантии
Серийный номерВес товара с упаковкой (брутто)
0.02 кгВес товара без упаковки (нетто)
0.02 кгШтук в упаковке
1Оперативная память Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 2666, 1.2V
Технические характеристики
- Технология памяти: DDR4 SDRAM
- Емкость накопителя: 16 ГБ
- Форм-фактор памяти: SODIMM 260-pin
- Количество модулей памяти: 1
- Метод обнаружения ошибок: Non-ECC
- Конфигурация модуля памяти: 1024 x 8
- Скорость памяти: 2666МГц(PC4-21300)
- Задержка идентификации столбца: CL19
- TRCD: 19
- TRP: 19
- TRAS: 32
- Характеристики памяти: Небуферизированная Двухранговая C-Die
- Совместимые устройства: Ноутбук Прочие устройства
- Номинальное напряжение питания: 1.2 В
- Высота: 30 мм
- Гарантия: Да
- Гарантийный срок: 24 мес.
- Критерий оценки гарантии: Серийный номер
- Вес товара с упаковкой (брутто): 0.02 кг
- Вес товара без упаковки (нетто): 0.02 кг
- Штук в упаковке: 1
- Вес коробки брутто: 0.02 кг
- Вес нетто картонной упаковки: 0.02 кг
- Вес нетто пластиковой упаковки: 0.02 кг
- Упаковок в коробке: 1
- Тип упаковки: Розничная
Основные характеристики
Высота
30 мм
Гарантия?
Да
Тип упаковки
Розничная
Гарантийный срок
24 мес.
Критерий оценки гарантии
Серийный номер
Вес товара с упаковкой (брутто)
0.02 кг
Вес товара без упаковки (нетто)
0.02 кг
Штук в упаковке
1
Вес коробки брутто
0.02 кг
Вес нетто картонной упаковки
0.02 кг
Вес нетто пластиковой упаковки
0.02 кг
Упаковок в коробке
1
Совместимые устройства
Ноутбук Прочие устройства
Форм-фактор памяти
SODIMM 260-pin
Скорость памяти
2666МГц(PC4-21300)
Метод обнаружения ошибок
Non-ECC
Характеристики памяти
Небуферизированная Двухранговая C-Die
TRAS
32
Технология памяти
DDR4 SDRAM
Емкость накопителя
16 ГБ
Количество модулей памяти
1
Конфигурация модуля памяти
1024 x 8
Задержка идентификации столбца
CL19
TRCD
19
TRP
19
Номинальное напряжение питания
1.2 В
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели
