Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Код Товара:
R744G2606S1S-U
Производитель:
AMD
EAN:
4897065182347
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
999 ₽
Форм фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Все характеристики
Модуль памяти для ноутбука 4GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-U - отличное решение для увеличения производительности вашего ноутбука. Он обеспечивает высокую пропускную способность в 21300 Мб/с, что позволяет быстро обрабатывать данные и запускать приложения. Модуль имеет надежную конструкцию и поддерживает стандарт DDR4, что обеспечивает стабильную работу и совместимость с большинством ноутбуков. Модуль памяти AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-U также имеет низкое энергопотребление и поддерживает функцию Non-ECC, что обеспечивает стабильную и безопасную работу системы. Установка модуля памяти производится в несколько простых шагов, а его черный цвет добавит стильности вашему ноутбуку. Приобретайте модуль памяти для ноутбука 4GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-U и наслаждайтесь быстрой и эффективной работой вашего ноутбука.

Основные характеристики

Форм фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Комплект поставки
Инструкция
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R7 Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
16
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
16
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V  Retail R944G3206S1S-U RTL
R944G3206S1S-U
В наличии
1 126 ₽
Оперативная память 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V  Bulk/Tray R944G3206S1S-UO
R944G3206S1S-UO
В наличии
1 116 ₽
Память для ноутбука Foxline SODIMM 32GB 3200 DDR4 CL22 (2Gb*8)
FL3200D4S22-32G
В наличии
7 357 ₽
Память для ноутбука Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200, 1.2V
M471A1K43EB1-CWE
В наличии
2 954 ₽
Память для ноутбука Foxline SODIMM 8GB 3200 DDR4 CL22 (1Gb*8)
FL3200D4S22-8G
В наличии
1 745 ₽
0
0