Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Код Товара:
R748G2606S2S-U
Производитель:
AMD
EAN:
4897065182354
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
1 562 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Все характеристики
Модуль памяти для ноутбука 8GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R748G2606S2S-U - отличное решение для увеличения производительности вашего ноутбука. Он обеспечивает высокую пропускную способность в 21300 Мб/с, что позволяет быстро обрабатывать данные и запускать приложения. Модуль выполнен в черном цвете, что придает ему стильный и современный вид.
Модуль памяти имеет емкость 8GB, что позволяет запускать несколько приложений одновременно без потери производительности. Он совместим с ноутбуками, поддерживающими стандарт DDR4 и имеющими разъем SO DIMM. Модуль не требует дополнительного питания и работает на напряжении 1.2V.
Модуль памяти AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R748G2606S2S-U обладает надежностью и долговечностью. Он не подвержен ошибкам и обеспечивает стабильную работу вашего ноутбука. Модуль имеет артикул R748G2606S2S-U и производится брендом AMD Radeon, который известен своим качеством и надежностью.
Приобретая модуль памяти для ноутбука 8GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R748G2606S2S-U, вы получаете надежное и качественное решение для увеличения производительности вашего ноутбука. Улучшите свой опыт работы с помощью этого модуля памяти от AMD Radeon.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Комплект поставки
Инструкция
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R7 Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
8
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
16
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
16
Объем одного модуля (ГБ)
8
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V  Retail R944G3206S1S-U RTL
R944G3206S1S-U
В наличии
1 126 ₽
Оперативная память 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V  Bulk/Tray R944G3206S1S-UO
R944G3206S1S-UO
В наличии
1 116 ₽
Память для ноутбука Foxline SODIMM 32GB 3200 DDR4 CL22 (2Gb*8)
FL3200D4S22-32G
В наличии
7 357 ₽
Память для ноутбука Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200, 1.2V
M471A1K43EB1-CWE
В наличии
2 954 ₽
Память для ноутбука Foxline SODIMM 8GB 3200 DDR4 CL22 (1Gb*8)
FL3200D4S22-8G
В наличии
1 745 ₽
0
0