В наличии
1 125 ₽
Форм-фактор
DIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Цвет радиатора
ЧерныйНизкопрофильная
НетКоличество контактов
260Ширина, мм
133.35Высота, мм
32Оперативная память DDR4 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V - отличное решение для повышения производительности вашего ноутбука. Благодаря высокой частоте работы 3200Mhz и низкому напряжению 1.2V, эта память обеспечивает быструю и энергоэффективную работу.
Модуль памяти имеет объем 4GB, что позволяет запускать множество приложений одновременно без потери производительности. Пропускная способность составляет 25600, что обеспечивает быструю передачу данных и плавную работу системы.
Оперативная память DDR4 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V совместима с большинством ноутбуков и легко устанавливается. Бренд AMD Radeon гарантирует высокое качество и надежность продукта.
Приобретайте оперативную память DDR4 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V от бренда AMD Radeon на comparema.ru и наслаждайтесь быстрой и стабильной работой вашего ноутбука.
Модуль памяти имеет объем 4GB, что позволяет запускать множество приложений одновременно без потери производительности. Пропускная способность составляет 25600, что обеспечивает быструю передачу данных и плавную работу системы.
Оперативная память DDR4 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V совместима с большинством ноутбуков и легко устанавливается. Бренд AMD Radeon гарантирует высокое качество и надежность продукта.
Приобретайте оперативную память DDR4 4GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V от бренда AMD Radeon на comparema.ru и наслаждайтесь быстрой и стабильной работой вашего ноутбука.
Основные характеристики
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Цвет радиатора
Черный
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
32
Поддержка ECC
Нет
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
3200
Пропускная способность (МБ/с)
25600
CAS Latency (CL)
16
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Да
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
16
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары