Телеграм Чат
Артикул:
M4S0-4GSSNCEM
Производитель:
Innodisk
EAN:
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
1 410 ₽
Частота работы оперативной памяти
2666
Тип оперативной памяти
DDR4
Форм-фактор модуля
260-pin SO DIMM
Производитель чипа
Innodisk
Напряжение питания
1.2
Объем модуля памяти
4Гб
Объем
0.00005
Вес без упаковки
0.01
Все характеристики

Модуль памяти 4GB Innodisk M4S0-4GSSNCEM

Модуль памяти Innodisk M4S0-4GSSNCEM — это высококачественный модуль оперативной памяти объемом 4 ГБ, предназначенный для использования в промышленных и встраиваемых системах. Этот модуль сочетает в себе надежность, производительность и энергоэффективность, что делает его идеальным решением для требовательных задач.

Основные характеристики

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: DDR3L SDRAM
  • Частота: 1600 МГц
  • Напряжение: 1.35 В
  • Форм-фактор: SO-DIMM 204-pin
  • Температурный диапазон: от -40°C до +85°C
  • Надежность: Поддержка ECC (Error Correction Code) для повышения стабильности работы

Преимущества

  • Высокая производительность: Модуль обеспечивает быстрый доступ к данным и высокую скорость обработки, что важно для ресурсоемких приложений.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение питания 1.35 В снижает энергопотребление, что особенно важно для встраиваемых систем.
  • Надежность: Поддержка ECC позволяет обнаруживать и исправлять ошибки в данных, повышая стабильность системы.
  • Широкий температурный диапазон: Модуль работает в экстремальных условиях, что делает его пригодным для промышленных применений.

Применение

Модуль памяти Innodisk M4S0-4GSSNCEM идеально подходит для использования в:

  • Промышленных компьютерах
  • Встраиваемых системах
  • Сетевом оборудовании
  • Медицинских устройствах
  • Автомобильных системах

Заключение

Модуль памяти Innodisk M4S0-4GSSNCEM — это надежное и производительное решение для современных промышленных и встраиваемых систем. Его высокая производительность, энергоэффективность и поддержка ECC делают его идеальным выбором для задач, требующих стабильной и долговечной работы.

Основные характеристики

Частота работы оперативной памяти
2666
Тип оперативной памяти
DDR4
Форм-фактор модуля
260-pin SO DIMM
Производитель чипа
Innodisk
Напряжение питания
1.2
Объем модуля памяти
4Гб
Объем
0.00005
Вес без упаковки
0.01
Количество
1
Вес в упаковке
0.02
Количество в упаковке
50.00
Особенности.
NON-ECC
Общий объём памяти
4Гб
Traceability
N
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти 8GB Patriot Signature Line DDR4 SODIMM PSD48G266681S
PSD48G266681S
В наличии
6 100 ₽
Модуль памяти для ноутбука 8GB Apacer ES.08G2V.GNH
ES.08G2V.GNH
В наличии
5 760 ₽
Модуль памяти 16GB Patriot Viper Steel DDR4 SODIMM PVS416G266C8S
PVS416G266C8S
В наличии
11 870 ₽
Модуль памяти 4GB Innodisk DDR3 SODIMM M3S0-4GMJDLPC
M3S0-4GMJDLPC
В наличии
2 560 ₽
Модуль памяти Synology 8GB DDR4 SODIMM D4ES01-8G
D4ES01-8G
В наличии
21 320 ₽
Оперативная память 64GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF548S38IBK2-64
KF548S38IBK2-64
В наличии
69 350 ₽
Оперативная память 64GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF556S40IBK2-64
KF556S40IBK2-64
В наличии
115 510 ₽
Оперативная память 32GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF564S38IBK2-32
KF564S38IBK2-32
В наличии
53 040 ₽
Оперативная память Kingston 32GB FURY Impact DDR5 SODIMM KF560S38IBK2-32
KF560S38IBK2-32
В наличии
51 010 ₽
Модуль памяти Kingston 32GB DDR4 3200 SODIMM KVR32S22D8/32
KVR32S22D8/32
В наличии
26 520 ₽
Модуль памяти Crucial 16GB DDR5 SO DIMM CT16G48C40S5
CT16G48C40S5
В наличии
18 940 ₽
Модуль памяти Kingston 48GB DDR5 SODIMM KVR56S46BD8-48
KVR56S46BD8-48
В наличии
52 050 ₽
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 SO DIMM M471A2G43AB2-CWE
M471A2G43AB2-CWE
В наличии
13 140 ₽
Модуль памяти Samsung 32GB DDR5 SODIMM M425R4GA3BB0-CQK
M425R4GA3BB0-CQK
В наличии
40 570 ₽
Модуль памяти Kingston 16GB DDR4 SO DIMM KVR32S22D8/16WP
KVR32S22D8/16WP
В наличии
13 300 ₽
Вы смотрели
0
0