Телеграм Чат
Артикул:
M471A5244CB0-CWE
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2770021759703
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
8 060 ₽

Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE — это высококачественный модуль оперативной памяти, предназначенный для использования в ноутбуках и компактных вычислительных системах. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для современных задач.

Основные характеристики:

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: DDR4
  • Частота: 3200 МГц
  • Форм-фактор: SO DIMM
  • Напряжение: 1.2 В
  • Тайминги: CL22
  • Организация памяти: 1Rx16
  • Конфигурация чипов: 512x64
  • Тип поставки: Bulk (без упаковки)

Преимущества:

  • Высокая производительность: Частота 3200 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным, что особенно важно для ресурсоемких приложений.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение 1.2 В снижает энергопотребление, что особенно важно для мобильных устройств.
  • Надежность: Произведенный компанией Samsung, этот модуль памяти отличается высокой надежностью и долговечностью.
  • Компактность: Форм-фактор SO DIMM позволяет использовать модуль в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК.

Применение:

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE идеально подходит для модернизации ноутбуков, ультрабуков и других компактных устройств, где требуется высокая производительность и низкое энергопотребление. Он также может быть использован в серверных решениях, где важна стабильность и надежность.

Заключение:

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE — это отличное решение для тех, кто ищет надежный и производительный модуль оперативной памяти для своих устройств. Благодаря высоким характеристикам и качеству производства, этот модуль станет достойным выбором для любых задач.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
31.25
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
M471
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
4
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
44
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память DDR4 32Gb 2666MHz SODIMM 1.2V CL16 R7432G2606S2S-U
R7432G2606S2S-U
В наличии
18 090 ₽
Оперативная память DDR4 8GB 3200MHz SODIMM CL16 1.2V R948G3206S2S-U
R948G3206S2S-U
В наличии
5 010 ₽
Модуль памяти DDR3 8GB 1600MHz Kingston KVR16N11/8WP
KVR16N11/8WP
В наличии
5 670 ₽
Модуль памяти DDR3L 4Гб 1600 МГц 1.35В Kingston KVR16LN11/4WP
KVR16LN11/4WP
В наличии
1 920 ₽
Модуль памяти DIMM Crucial 8GB DDR4 3200 МГц CT8G4DFRA32A
CT8G4DFRA32A
В наличии
9 710 ₽
Модуль памяти DDR4 Netac Basic 8GB 2666MHz CL19 1.2V NTBSD4P26SP-08
NTBSD4P26SP-08
В наличии
5 440 ₽
Модуль памяти DDR4 Netac Basic 8GB 3200MHz CL16 1.35V NTBSD4P32SP-08
NTBSD4P32SP-08
В наличии
5 630 ₽
Модуль памяти Netac DDR4 16Gb 2666MHz CL19 1.2V DIMM NTBSD4P26SP-16
NTBSD4P26SP-16
В наличии
11 190 ₽
0
0