Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Артикул:
M471A5244CB0-CWE
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2770021759703
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
1 720 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
31.25
Ссылка на описание
https
Все характеристики

Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE — это высококачественный модуль оперативной памяти, предназначенный для использования в ноутбуках и компактных вычислительных системах. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для современных задач.

Основные характеристики:

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: DDR4
  • Частота: 3200 МГц
  • Форм-фактор: SO DIMM
  • Напряжение: 1.2 В
  • Тайминги: CL22
  • Организация памяти: 1Rx16
  • Конфигурация чипов: 512x64
  • Тип поставки: Bulk (без упаковки)

Преимущества:

  • Высокая производительность: Частота 3200 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным, что особенно важно для ресурсоемких приложений.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение 1.2 В снижает энергопотребление, что особенно важно для мобильных устройств.
  • Надежность: Произведенный компанией Samsung, этот модуль памяти отличается высокой надежностью и долговечностью.
  • Компактность: Форм-фактор SO DIMM позволяет использовать модуль в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК.

Применение:

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE идеально подходит для модернизации ноутбуков, ультрабуков и других компактных устройств, где требуется высокая производительность и низкое энергопотребление. Он также может быть использован в серверных решениях, где важна стабильность и надежность.

Заключение:

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE — это отличное решение для тех, кто ищет надежный и производительный модуль оперативной памяти для своих устройств. Благодаря высоким характеристикам и качеству производства, этот модуль станет достойным выбором для любых задач.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
31.25
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
M471
Вид поставки
OEM
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
3200
Пропускная способность (МБ/с)
25600
CAS Latency (CL)
22
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
4
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
44
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Вы смотрели

Продолжая использовать наш сайт, Вы соглашаетесь на обработку файлов cookie, которые включают в себя: сведения о местоположении; тип, язык и версию операционной системы и браузера; сведения об используемом устройстве. Данные обрабатываются для предоставления наших услуг и улучшения качества работы нашего веб-сайта и сервисов. Для обработки также используется Яндекс Метрика и Google Analytics.

0
0
Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk
1 720 ₽
+7 (495) 789-49-93
0
0
0