Оперативная память Samsung DDR4 128GB M386AAG40DM3-CWEZQ

Оперативная память Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM 3200 МГц 1.2 В 4Rx4 (M386AAG40DM3-CWEZQ)

Модуль оперативной памяти Samsung M386AAG40DM3-CWEZQ — это высокопроизводительный серверный модуль формата LRDIMM (Load-Reduced DIMM) ёмкостью 128 ГБ, предназначенный для использования в современных enterprise-серверах и рабочих станциях, где критически важны максимальная плотность памяти, стабильность и энергоэффективность. Благодаря частоте 3200 МГц, низкому напряжению 1.2 В и четырёхранговой архитектуре 4Rx4, модуль обеспечивает высокую пропускную способность и минимальную нагрузку на контроллер памяти, что особенно важно при конфигурациях с сотнями гигабайт или терабайтами ОЗУ.

Технология LRDIMM отличается от RDIMM полной буферизацией не только адресных и управляющих сигналов, но и линий данных через специализированный чип iMB (isolation Memory Buffer). Это позволяет значительно снизить электрическую нагрузку на memory controller, сохраняя высокую частоту даже при полной загрузке всех слотов. Модуль полностью поддерживает ECC (Error-Correcting Code) для защиты от аппаратных ошибок и соответствует строгим стандартам JEDEC. Артикул M386AAG40DM3-CWEZQ указывает на обновлённую ревизию с улучшенной совместимостью и стабильностью на платформах Intel Xeon Scalable нового поколения.

Ключевые особенности

• Тип памяти: DDR4 LRDIMM (Load-Reduced DIMM)
• Ёмкость: 128 ГБ
• Частота: 3200 МГц (PC4-25600)
• Напряжение: 1.2 В — энергоэффективная работа
• Архитектура: 4Rx4 (четырёхранговая организация)
• Форм-фактор: 288-pin DIMM
• Поддержка ECC: да — коррекция однобитовых ошибок в реальном времени
• Преимущество LRDIMM: минимальная нагрузка на контроллер — выше плотность памяти без потери частоты
• Артикул: M386AAG40DM3-CWEZQ — обновлённая ревизия с расширенной совместимостью

Технические характеристики

Основные параметры

• Производитель: Samsung
• Модель: M386AAG40DM3-CWEZQ
• Тип: DDR4 SDRAM LRDIMM
• Ёмкость: 128 ГБ
• Скорость передачи данных: 3200 МТ/с
• Пропускная способность: до 25.6 ГБ/с на модуль
• Напряжение питания: 1.2 В ±0.06 В
• Форм-фактор: стандартный 288-pin DIMM

Архитектура и надёжность

• Ранги: 4R (четырёхранговый)
• Организация: 4Rx4 — 4 ранга, каждый из которых использует 4 чипа памяти
• Буферизация: полная (адрес, управление и данные) через iMB-чип
• ECC: поддерживается на аппаратном уровне
• Тайминги (предположительные): CL22-22-22
• Температурный диапазон: 0°C – 85°C
• Совместимость: JEDEC, RoHS, CE

Совместимость и применение

• Поддерживаемые платформы:
  • Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP, Sapphire Rapids)
  • Некоторые платформы AMD EPYC (требуется проверка спецификации)
• Совместимые серверы:
  • Dell PowerEdge R750, R760, R960
  • HPE ProLiant DL380 Gen11, DL560
  • Lenovo ThinkSystem SR650 V3, SR860 V3
  • Supermicro SYS-221H-TNR, AS-4125HS-TNR и др.
• Типичные сценарии: SAP HANA, Oracle Exadata, VMware, Kubernetes, HPC, AI/ML inference

Физические параметры

• Высота модуля: стандартная (31.25 мм) или Low Profile (18.75 мм) — зависит от поставки
• Материал печатной платы: многослойная FR4 с улучшенным теплоотводом
• Маркировка: полная сертификация JEDEC, RoHS, CE
• Упаковка: антистатическая, вакуумная с силикагелем

Преимущества модуля Samsung M386AAG40DM3-CWEZQ

• Высокая плотность памяти: 128 ГБ в одном слоте — минимизация количества модулей при максимизации объёма.
• Оптимизирован для современных CPU: полная поддержка Intel Xeon Scalable 3rd/4th Gen.
• Стабильность при полной загрузке: LRDIMM позволяет заполнять все слоты без снижения частоты.
• Энергоэффективность: 1.2 В — снижает общее энергопотребление и охлаждение в ЦОД.
• Надёжность Samsung: производство на передовых мощностях с полным контролем качества.

Применение

Модуль памяти Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM идеально подходит для:

• In-memory вычислений: SAP HANA, Redis Enterprise, Apache Ignite — где скорость доступа к данным критична.
• Виртуализации и облачных сред: десятки ВМ на одном хосте с выделенной памятью под каждую.
• Аналитики больших данных: обработка терабайтов информации в памяти без дискового ввода-вывода.
• Научных и инженерных задач: симуляции, моделирование, геномика, финансовый риск-анализ.
• Центров обработки данных: высокая плотность, низкое TCO, отказоустойчивость.

Заключение

Оперативная память Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM 3200 МГц (M386AAG40DM3-CWEZQ) — это решение enterprise-класса для ИТ-инфраструктур, где каждый гигабайт и ватт имеют значение. С передовой архитектурой LRDIMM, поддержкой ECC и оптимизацией под процессоры Intel Xeon Scalable, этот модуль обеспечивает беспрецедентную масштабируемость и стабильность. Независимо от того, разворачиваете ли вы SAP HANA, облачную платформу или систему аналитики — память Samsung станет надёжной основой вашей вычислительной среды. Выберите качество, проверенное в миллионах серверов по всему миру.