Телеграм Чат
Артикул:
M386AAG40DM3-CWEZQ
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
237 220 ₽
Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Напряжение питания
1.2 В
Скорость передачи данных
25600 МБ/с
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Буферизованная
Регистр
ECC
Все характеристики

Оперативная память Samsung DDR4 128GB M386AAG40DM3-CWEZQ — это высокопроизводительный модуль памяти для корпоративных серверов и рабочих станций. Буферизованная LRDIMM-память объемом 128 ГБ обеспечивает исключительную надежность и пропускную способность для обработки больших данных, виртуализации и других требовательных задач. Оснащена теплораспределителем и поддерживает коррекцию ошибок ECC для бесперебойной работы в круглосуточном режиме.

Надежность для критически важных систем

Модуль Samsung DDR4 128GB создан для стабильной работы в серверных средах высшего уровня. Технология LRDIMM (Load Reduced DIMM) снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, позволяя устанавливать больший объем памяти на канал. Регистр и ECC-коррекция гарантируют целостность данных и защиту от сбоев, что делает эту память идеальным выбором для дата-центров и высоконагруженных рабочих станций на платформе Intel Purley.

Максимальная емкость и пропускная способность

Модуль объемом 128 ГБ обеспечивает высокую плотность данных:

  • Высокая скорость: Тактовая частота 3200 МГц и скорость передачи данных до 25600 МБ/с минимизируют задержки при доступе к информации.
  • Структура ранков: Организация 4Rx4 (четыре ранка) оптимизирована для эффективной работы с большими объемами данных.
  • Надежная архитектура: 36 чипов памяти, организованные в логическую структуру 16G x72, обеспечивают отказоустойчивость и высокую производительность.

Инженерное исполнение для стабильности

Модуль рассчитан на непрерывную эксплуатацию. Наличие теплораспределителя способствует эффективному отводу тепла даже при длительных пиковых нагрузках. Низкое напряжение питания 1.2 В снижает общее энергопотребление системы, что важно для крупных серверных установок.

Совместимость и корпоративный уровень

Память специально разработана для совместимости с серверными платформами на базе процессоров Intel Xeon Scalable второго поколения (кодовое имя Purley). Низкопрофильный форм-фактор LRDIMM и стандартные тайминги 22-22-22 обеспечивают легкую интеграцию и стабильную работу в составе многоканальных массивов памяти.

Технические характеристики

Тип памяти DDR4
Объем одного модуля 128 ГБ
Форм-фактор LRDIMM
Тактовая частота 3200 МГц
Напряжение питания 1.2 В
Организация (ранки) 4Rx4
Латентность (тайминги) 22-22-22
Регистр / Коррекция ECC, Буферизованная
Совместимость (Intel) Purley (2nd Gen Xeon Scalable)
Номер детали M386AAG40DM3-CWEZQ
Скорость передачи данных 25600 МБ/с
Температура эксплуатации 0 °C ~ 85 °C
Количество чипов / Организация 36 / 16G x72
Теплораспределитель Есть

Часто задаваемые вопросы

В чем отличие LRDIMM от обычного RDIMM?

LRDIMM (Load Reduced DIMM) использует дополнительный буфер для данных, что значительно снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти. Это позволяет устанавливать больше модулей на канал памяти и использовать модули большей емкости (например, 128 ГБ) по сравнению с RDIMM, что критически важно для построения серверов с многомербайтными массивами памяти.

Подходит ли эта память для моей рабочей станции или игрового ПК?

Нет, этот модуль является серверной буферизованной (регистровой) памятью (LRDIMM). Он физически и электрически несовместим с обычными настольными материнскими платами для процессоров Core i7/i9 или Ryzen, которые поддерживают только небуферизованную память (UDIMM).

Что означает организация 4Rx4?

Это означает, что модуль имеет четыре логических ранка (банка памяти), и каждый ранк имеет ширину шины данных 4 бита. Такая организация повышает эффективность параллельного доступа к данным и является стандартной для модулей памяти большой емкости, используемых в серверах.

Основные характеристики

Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Напряжение питания
1.2 В
Скорость передачи данных
25600 МБ/с
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Буферизованная
Регистр
ECC
Организация (ранки)
4Rx4
Версия процессора Intel
Purley (2nd Gen)
Логическая организация
16G x72
Количество чипов
36
Номер детали
M386AAG40DM3-CWEZQ
Объем одного модуля
128 ГБ
Латентность (тайминги)
22-22-22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Dell 32GB RDIMM DDR5 370-BCCY
370-BCCY
В наличии
50 020 ₽
Оперативная память Micron 96GB DDR5 RDIMM MTC40F204WS1RC56BR
MTC40F204WS1RC56BR
В наличии
404 000 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 LRDIMM M386AAG40BM3-CWEZY
M386AAG40BM3-CWEZY
В наличии
88 880 ₽
Оперативная память Micron DDR5 RDIMM 64GB MTC40F2046S1RC56BD1 OEM
MTC40F2046S1RC56BD1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR4 RDIMM MTA36ASF8G72PZ-3G2R
MTA36ASF8G72PZ-3G2R
В наличии
60 600 ₽
Оперативная память Samsung 64GB DDR5 RDIMM M321R8GA0PB0-CWM
M321R8GA0PB0-CWM
В наличии
153 280 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR5 RDIMM MTC40F2046S1RC48BA1 OEM
MTC40F2046S1RC48BA1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Hynix 64GB RDIMM HMAA8GR7CJR4N-XN
HMAA8GR7CJR4N-XN
В наличии
68 680 ₽
Оперативная память 64GB Dell RDIMM DDR5 370-BBRN
370-BBRN
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M321R8GA0EB2-CCP
M321R8GA0EB2-CCP
В наличии
266 480 ₽
Оперативная память Samsung RDIMM DDR5 64GB M321R8GA0BB0-CQK
M321R8GA0BB0-CQK.
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 96GB SK Hynix DDR5 RDIMM HMCGM4MGBRB
HMCGM4MGBRB
В наличии
404 000 ₽
Оперативная память Samsung 96GB DDR5 RDIMM M321RYGA0PB2-CCP
M321RYGA0PB2-CCP
В наличии
386 590 ₽
Оперативная память 64GB SK Hynix RDIMM DDR5 HMCG94AHBRA280N
HMCG94AHBRA280N
В наличии
286 690 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M393A8G4DAB2-CWEBY
M393A8G4DAB2-CWEBY
В наличии
68 680 ₽
Вы смотрели
0
0