Оперативная память Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM 3200 МГц 1.2 В 4Rx4 (M386AAG40BM3-CWE)
Модуль оперативной памяти Samsung M386AAG40BM3-CWE — это высокоплотный серверный модуль формата LRDIMM (Load-Reduced DIMM) ёмкостью 128 ГБ, разработанный для использования в высокопроизводительных серверах и рабочих станциях enterprise-уровня, где требуется максимальный объём памяти при минимальной электрической нагрузке на контроллер. Благодаря частоте 3200 МГц, напряжению 1.2 В и архитектуре 4Rx4, модуль обеспечивает исключительную пропускную способность, энергоэффективность и масштабируемость даже в самых требовательных вычислительных средах.
В отличие от RDIMM, технология LRDIMM использует буферизацию не только адресных и управляющих сигналов, но и данных, что значительно снижает нагрузку на memory controller и позволяет устанавливать гораздо больше модулей в системе без потери стабильности или снижения частоты. Это делает LRDIMM идеальным выбором для задач, требующих сотен гигабайт или даже терабайтов оперативной памяти — таких как in-memory базы данных, виртуализация, аналитика больших данных и научное моделирование. Модуль полностью поддерживает ECC (Error-Correcting Code) для защиты от аппаратных ошибок и соответствует стандартам JEDEC.
Ключевые особенности
- Тип памяти: DDR4 LRDIMM (Load-Reduced DIMM)
- Ёмкость: 128 ГБ
- Частота: 3200 МГц (PC4-25600)
- Напряжение: 1.2 В — низкое энергопотребление
- Архитектура: 4Rx4 (четырёхранговая организация)
- Форм-фактор: 288-pin DIMM
- Поддержка ECC: да — коррекция однобитовых ошибок в реальном времени
- Преимущество LRDIMM: минимальная нагрузка на контроллер памяти — выше плотность и стабильность
- Артикул: M386AAG40BM3-CWE
Технические характеристики
Основные параметры
- Производитель: Samsung
- Модель: M386AAG40BM3-CWE
- Тип: DDR4 SDRAM LRDIMM
- Ёмкость: 128 ГБ
- Скорость передачи данных: 3200 МТ/с (мегатранзакций в секунду)
- Пропускная способность: до 25.6 ГБ/с на модуль
- Напряжение питания: 1.2 В ±0.06 В
- Форм-фактор: стандартный 288-pin DIMM
Архитектура и надёжность
- Ранги: 4R (четырёхранговый)
- Организация: 4Rx4 — 4 ранга, каждый использует 4 чипа памяти
- Буферизация: полная (адрес, управление и данные) через iMB (isolation Memory Buffer)
- ECC: поддерживается на уровне модуля и системы
- Тайминги (предположительные): CL22-22-22
- Температурный диапазон: 0°C – 85°C
- Совместимость с JEDEC: полная
Совместимость и применение
- Поддерживаемые платформы:
- Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP, Sapphire Rapids)
- Некоторые платформы AMD EPYC (требуется проверка спецификации материнской платы)
- Совместимые серверы:
- Dell PowerEdge R750, R760, R950
- HPE ProLiant DL380 Gen10 Plus, DL580
- Lenovo ThinkSystem SR650 V3, SR850
- Supermicro Ultra, BigTwin и другие enterprise-платформы
- Типичные сценарии использования: SAP HANA, Oracle DB, VMware vSphere, Apache Spark, HPC, AI inference на CPU
Физические параметры
- Высота: стандартная (31.25 мм) или Low Profile (18.75 мм) — зависит от партии
- Материал платы: многослойная FR4 с улучшенным теплоотводом
- Маркировка: сертифицировано по RoHS, CE, JEDEC
- Упаковка: антистатическая, с защитой от влаги
Преимущества модуля Samsung M386AAG40BM3-CWE
- Максимальная плотность памяти: 128 ГБ в одном слоте — меньше модулей, больше ресурсов.
- Сниженная нагрузка на контроллер: LRDIMM позволяет заполнять все слоты без деградации частоты.
- Идеален для масштабируемых систем: до нескольких терабайт ОЗУ в одном сервере.
- Энергоэффективность: 1.2 В — снижает TCO (совокупную стоимость владения).
- Надёжность Samsung: производство по строгим стандартам с полной трассировкой качества.
Применение
Модуль памяти Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM идеально подходит для:
- In-memory баз данных: SAP HANA, Redis, MemSQL — где данные хранятся целиком в ОЗУ.
- Виртуализации и облачных платформ: десятки или сотни ВМ на одном физическом хосте.
- Научных вычислений и моделирования: CAE, CFD, биоинформатика, финансовый анализ.
- Центров обработки данных (ЦОД): высокая плотность памяти при минимальном энергопотреблении.
- Систем реального времени: телекоммуникации, обработка транзакций, кибербезопасность.
Заключение
Оперативная память Samsung DDR4 128 ГБ LRDIMM 3200 МГц (M386AAG40BM3-CWE) — это решение для самых требовательных enterprise-инфраструктур, где важны не только объём и скорость, но и масштабируемость. Благодаря технологии Load-Reduced DIMM, она позволяет строить серверы с терабайтами оперативной памяти без компромиссов в стабильности и производительности. С поддержкой ECC, низким напряжением и качеством Samsung, этот модуль становится стратегическим компонентом современных ЦОД, облачных платформ и аналитических систем. Выберите LRDIMM от Samsung — и обеспечьте своей инфраструктуре будущее, готовое к росту.
Основные характеристики
Нет вопросов об этом товаре.
