Телеграм Чат
Артикул:
M386AAG40BM3-CWE
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
258 780 ₽
Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
Registred
Модель
M386AAG40BM3-CWE
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип/
Модуль памяти
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
4
Тактовая частота
3200 МГц
Все характеристики

Оперативная память Samsung DDR4 128GB M386AAG40BM3-CWE — это высоконадежный модуль памяти серверного класса формата LRDIMM. Обладая внушительным объемом 128 ГБ на один модуль, поддержкой ECC и частотой 3200 МГц, он создан для критически важных задач в дата-центрах, рабочих станциях и серверных системах, где на первом месте стоит стабильность, коррекция ошибок и работа с большими объемами данных.

Надежность и емкость для ответственных систем

Модуль Samsung DDR4 LRDIMM — это специализированное решение, где приоритетом является бесперебойная работа и целостность данных. Использование регистров (RCD) и буферов данных снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти материнской платы, что позволяет устанавливать большое количество высокоемких модулей. Поддержка ECC (код коррекции ошибок) автоматически обнаруживает и исправляет одноразрядные ошибки, предотвращая сбои и потерю информации.

Высокая плотность и стабильность

Модуль памяти построен на передовой технологии DDR4 для серверов:

  • Большой объем: 128 ГБ на одном модуле позволяет создавать системы с экстремальным объемом оперативной памяти, необходимым для виртуализации, баз данных, анализа Big Data и научных вычислений.
  • Коррекция ошибок (ECC): Обеспечивает максимальную надежность данных, что критически важно для серверов и рабочих станций, работающих 24/7.
  • Регистровая буферизация (LRDIMM): Позволяет устанавливать больше модулей на канал памяти без потери стабильности сигнала, что является ключевым для масштабируемости серверных платформ.

Оптимизированная производительность

Частота 3200 МГц с пропускной способностью PC4-25600 обеспечивает высокую скорость обмена данными между процессором и памятью. Сбалансированные тайминги 22-22-22 гарантируют предсказуемую и низкую задержку при доступе к информации, что ускоряет выполнение сложных вычислительных задач.

Инженерное качество и надежность

Samsung, как производитель чипов памяти, обеспечивает полный контроль над производственным циклом. Модули проходят строжайшее тестирование на совместимость и стабильность в широком диапазоне температур (0°C – 85°C), что гарантирует их бесперебойную работу в условиях круглосуточной нагрузки в серверных стойках.

Технические характеристики

Объем модуля 128 ГБ
Тип памяти DDR4 SDRAM
Форм-фактор 288-pin LRDIMM (Load Reduced)
Номинальная частота 3200 МГц
Пропускная способность (PC4) PC4-25600
Тайминги (задержки) 22-22-22
Напряжение питания 1.2 В
Организация (ранковость) 4R x4 (Quad Rank)
Регистр и коррекция ошибок LRDIMM с ECC
Количество чипов 36
Температура эксплуатации 0 °C ~ 85 °C
Температура хранения -55 °C ~ 100 °C
Номер детали (Part Number) M386AAG40BM3-CWE
Рекомендуемое применение Серверы, рабочие станции, системы хранения и обработки данных (Data Center)

Часто задаваемые вопросы

В чем ключевое отличие LRDIMM от обычного RDIMM или UDIMM?

LRDIMM (Load Reduced DIMM) использует буфер данных (DB), который изолирует чипы памяти от шины данных, значительно снижая электрическую нагрузку. Это позволяет устанавливать больше модулей с высокой плотностью (например, 128 ГБ) на один канал памяти без потери стабильности сигнала, в отличие от RDIMM (буферизованный адрес/команды) и UDIMM (небуферизованный).

Что означает маркировка "4R x4" в организации памяти?

"4R" означает Quad Rank (четыре ранка). Ранк — это область памяти, доступная контроллеру за одну операцию. Модуль с 4 ранками представляет собой сложную организацию чипов. "x4" указывает на ширину чипа памяти (4 бита). Такая организация характерна для высокоемких модулей и требует поддержки со стороны материнской платы и процессора.

Подойдет ли этот модуль для моего домашнего игрового ПК?

Нет, это специализированный серверный модуль. Подавляющее большинство потребительских (десктопных) материнских плат поддерживают только небуферизованную память (UDIMM). LRDIMM физически и электрически несовместим со слотами для UDIMM и требует серверной платформы (например, на базе Intel Xeon или AMD EPYC).

Какой процессор и материнская плата нужны для этой памяти?

Для работы с модулями LRDIMM объемом 128 ГБ необходимы серверные процессоры (Intel Xeon Scalable, AMD EPYC) и соответствующая серверная материнская плата, в спецификациях которой явно указана поддержка LRDIMM и желаемого общего объема памяти (например, 512 ГБ, 1 ТБ и более).

Что дает коррекция ошибок (ECC) на практике?

ECC автоматически обнаруживает и исправляет одноразрядные ошибки (случайные изменения бита), которые могут возникать из-за космического излучения, электромагнитных помех или сбоев в питании. Это предотвращает "тихие" повреждения данных, которые в серверной среде могут привести к краху базы данных, ошибкам в расчетах или сбою виртуальной машины.

Можно ли смешивать этот модуль с другими LRDIMM или RDIMM?

Смешивание модулей разных типов (LRDIMM с RDIMM) или даже LRDIMM с разными характеристиками (объем, ранковость, тайминги) крайне не рекомендуется и, как правило, невозможно. Для обеспечения стабильности и производительности следует использовать идентичные модули, желательно из одной поставки, в соответствии с руководством к серверной платформе.

Для каких задач критически важен такой большой объем на модуль (128 ГБ)?

• Виртуализация: размещение десятков виртуальных машин на одном физическом сервере.
• In-Memory Databases (базы данных в памяти): например, SAP HANA, где вся рабочая БД размещается в RAM для максимальной скорости.
• Обработка Big Data и аналитика в реальном времени.
• Научные вычисления, моделирование и рендеринг сложных сцен.
• Высоконагруженные веб-серверы и серверы приложений.

Есть ли гарантия на эту память?

Серверная память Samsung обычно поставляется с ограниченной пожизненной гарантией или длительной гарантией (3-5 лет и более), условия которой следует уточнять у официального поставщика или дистрибьютора. Гарантия покрывает дефекты материалов и изготовления.

Основные характеристики

Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
Registred
Модель
M386AAG40BM3-CWE
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип/
Модуль памяти
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
4
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
PC4-25600
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Регистр
ECC
Организация (ранковость)
4R x4
Чипы памяти
DDR4 SDRAM
Количество контактов
288
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
31.25
Температура хранения
-55 °C ~ 100 °C
Комплект поставки
Модуль памяти
Поддержка ECC
Да
Количество чипов
36
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
128
Наличие радиатора
Нет
Объем одного модуля
128 ГБ
Подсветка
Нет
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
128
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
ЛАТЕНТНОСТЬ / ТАЙМИНГИ
22-22-22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Dell 32GB RDIMM DDR5 370-BCCY
370-BCCY
В наличии
141 400 ₽
Оперативная память Micron 96GB DDR5 RDIMM MTC40F204WS1RC56BR
MTC40F204WS1RC56BR
В наличии
424 200 ₽
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 LRDIMM M386AAG40BM3-CWEZY
M386AAG40BM3-CWEZY
В наличии
166 650 ₽
Оперативная память Micron DDR5 RDIMM 64GB MTC40F2046S1RC56BD1 OEM
MTC40F2046S1RC56BD1
В наличии
250 800 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR4 RDIMM MTA36ASF8G72PZ-3G2R
MTA36ASF8G72PZ-3G2R
В наличии
80 800 ₽
Оперативная память Samsung 64GB DDR5 RDIMM M321R8GA0PB0-CWM
M321R8GA0PB0-CWM
В наличии
253 490 ₽
Оперативная память Micron 64GB DDR5 RDIMM MTC40F2046S1RC48BA1 OEM
MTC40F2046S1RC48BA1
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Hynix 64GB RDIMM HMAA8GR7CJR4N-XN
HMAA8GR7CJR4N-XN
В наличии
30 540 ₽
Оперативная память 64GB Dell RDIMM DDR5 370-BBRN
370-BBRN
В наличии
263 900 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M321R8GA0EB2-CCP
M321R8GA0EB2-CCP
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память Samsung RDIMM DDR5 64GB M321R8GA0BB0-CQK
M321R8GA0BB0-CQK.
В наличии
282 800 ₽
Оперативная память 96GB SK Hynix DDR5 RDIMM HMCGM4MGBRB
HMCGM4MGBRB
В наличии
424 200 ₽
Оперативная память Samsung 96GB DDR5 RDIMM M321RYGA0PB2-CCP
M321RYGA0PB2-CCP
В наличии
389 290 ₽
Оперативная память 64GB SK Hynix RDIMM DDR5 HMCG94AHBRA280N
HMCG94AHBRA280N
В наличии
278 650 ₽
Оперативная память 64GB Samsung RDIMM M393A8G4DAB2-CWEBY
M393A8G4DAB2-CWEBY
В наличии
80 800 ₽
Вы смотрели
0
0