Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CWM
Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM — это высококачественный модуль памяти объемом 8 ГБ, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для задач, требующих высокой скорости обработки данных.
Основные характеристики:
- Объем памяти: 8 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Скорость: 2666 МГц
- Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
- Напряжение: 1.2 В
- Пропускная способность: 21300 МБ/с
- Тайминги: CL19
- Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)
Преимущества:
- Высокая производительность: Модуль памяти обеспечивает быструю обработку данных, что особенно важно для серверов и рабочих станций.
- Надежность: Использование технологии ECC позволяет обнаруживать и исправлять ошибки, что повышает стабильность системы.
- Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что важно для современных центров обработки данных.
- Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.
Применение:
Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM идеально подходит для использования в серверах, рабочих станциях и других системах, где требуется высокая производительность и надежность. Она может быть использована в центрах обработки данных, облачных сервисах, виртуализации и других задачах, связанных с интенсивной обработкой данных.
Заключение:
Модуль оперативной памяти Samsung M425R1GB4BB0-CWM — это надежное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Благодаря поддержке ECC, высокой скорости и низкому энергопотреблению, этот модуль станет отличным выбором для задач, требующих высокой производительности и стабильности.
Основные характеристики
Нет вопросов об этом товаре.
