Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CWM

Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CWM

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM — это высококачественный модуль памяти объемом 8 ГБ, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для задач, требующих высокой скорости обработки данных.

Основные характеристики:

• Объем памяти: 8 ГБ
• Тип памяти: DDR4
• Скорость: 2666 МГц
• Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
• Напряжение: 1.2 В
• Пропускная способность: 21300 МБ/с
• Тайминги: CL19
• Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)

Преимущества:

• Высокая производительность: Модуль памяти обеспечивает быструю обработку данных, что особенно важно для серверов и рабочих станций.
• Надежность: Использование технологии ECC позволяет обнаруживать и исправлять ошибки, что повышает стабильность системы.
• Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что важно для современных центров обработки данных.
• Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.

Применение:

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM идеально подходит для использования в серверах, рабочих станциях и других системах, где требуется высокая производительность и надежность. Она может быть использована в центрах обработки данных, облачных сервисах, виртуализации и других задачах, связанных с интенсивной обработкой данных.

Заключение:

Модуль оперативной памяти Samsung M425R1GB4BB0-CWM — это надежное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Благодаря поддержке ECC, высокой скорости и низкому энергопотреблению, этот модуль станет отличным выбором для задач, требующих высокой производительности и стабильности.