Оперативная память Samsung SODIMM DDR5 M425R1GB4BB0-CWM — это надежный модуль памяти нового поколения, созданный для модернизации и сборки современных ноутбуков и компактных систем. Модуль объемом 8 ГБ, работающий на эффективной частоте 5600 МГц, обеспечивает значительный прирост производительности в повседневных задачах, работе с приложениями и многозадачности. Изготовленный с применением передовых технологий Samsung, он гарантирует стабильность, энергоэффективность и полную совместимость с платформами Intel и AMD.
Современная производительность для вашего устройства
Модуль Samsung DDR5 SODIMM представляет собой следующий шаг в эволюции мобильной памяти. По сравнению с предыдущим поколением DDR4, он предлагает более высокую пропускную способность при сниженном напряжении питания, что напрямую влияет на общую отзывчивость системы и время автономной работы ноутбука. Это идеальное решение для апгрейда или сборки, где важны надежность и соответствие промышленным стандартам.
Скорость и эффективность DDR5
Модуль M425R1GB4BB0-CWM построен на архитектуре DDR5, которая обеспечивает:
- Высокая частота: Рабочая частота 5600 МГц обеспечивает быстрый обмен данными между процессором и памятью.
- Улучшенная пропускная способность: Показатель 44800 Мб/с позволяет эффективно работать с требовательными приложениями.
- Пониженное энергопотребление: Напряжение питания всего 1.1 В способствует снижению общего энергопотребления системы и тепловыделения.
Надежность и совместимость
Модуль выполнен в компактном форм-факторе SODIMM с 262 контактами, что предназначено специально для ноутбуков, мини-ПК и AIO-систем. Двусторонняя упаковка чипов является стандартом для данного объема и обеспечивает оптимальное расположение на плате. Модуль проходит строгий контроль качества Samsung, гарантируя стабильную работу в широком диапазоне температур и условий эксплуатации.
Простота установки и гарантия
Благодаря стандартному форм-фактору и отсутствию радиатора, установка модуля не вызывает сложностей и совместима с большинством корпусов. Память не поддерживает технологии разгона XMP/EXPO и ECC-коррекцию, что указывает на ее ориентированность на массовые, надежные конфигурации. На модуль предоставляется гарантия производителя сроком 1 год.
Технические характеристики
| Производитель / Модель | Samsung / M425R1GB4BB0-CWM |
| Тип памяти / Форм-фактор | DDR5 / SODIMM (262-pin) |
| Тактовая частота | 5600 МГц |
| Пропускная способность | 44800 Мб/с |
| Объем модуля / Общий объем | 8 ГБ / 8 ГБ (1 модуль) |
| Напряжение питания | 1.1 В |
| Поддержка ECC / XMP / EXPO | Нет / Нет / Нет |
| Буферизованная (Registered) | Нет |
| Радиатор / Подсветка | Нет / Нет |
| Упаковка чипов | Двусторонняя |
| Срок гарантии | 1 год |
Часто задаваемые вопросы
Подойдет ли этот модуль для моего ноутбука?
Модуль подойдет для ноутбуков и компактных систем, поддерживающих память стандарта DDR5 SODIMM с частотой 5600 МГц. Перед покупкой необходимо уточнить спецификации вашей материнской платы на предмет поддержки данного типа и частоты памяти.
Можно ли установить несколько таких модулей для работы в двухканальном режиме?
Да, для активации двухканального режима, который увеличивает пропускную способность, необходимо установить два одинаковых модуля в соответствующие слоты на материнской плате. Рекомендуется использовать модули с одинаковыми характеристиками.
В чем отличие DDR5 от DDR4 для ноутбука?
DDR5 обеспечивает более высокую частоту и пропускную способность при более низком напряжении (1.1 В против 1.2 В у DDR4). Это дает прирост производительности в ресурсоемких задачах и может положительно сказаться на энергоэффективности. Модули DDR5 и DDR4 имеют разные ключи (вырезы) и физически несовместимы.
Основные характеристики
Нет вопросов об этом товаре.
