Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Артикул:
M425R1GB4BB0-CQK
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2000011516932
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
2 380 ₽
Производитель
Samsung
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M425R1GB4BB0-CQK
Радиатор
нет
Напряжение питания
1.1 В
Объем
1 модуль 8Gb
Тактовая частота
4800 МГц
Все характеристики

Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK объемом 8 ГБ — это высококачественный модуль памяти, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает стабильную и высокую производительность, что делает его идеальным решением для задач, требующих интенсивной обработки данных.

Основные характеристики:

  • Тип памяти: DDR4
  • Объем: 8 ГБ
  • Частота: 2666 МГц
  • Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
  • Напряжение: 1.2 В
  • Тайминги: CL19
  • Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)

Преимущества:

  • Высокая надежность: Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK прошел строгие тесты на стабильность и долговечность, что гарантирует его надежную работу даже в условиях высокой нагрузки.
  • Оптимизация для серверов: Благодаря поддержке ECC, память обеспечивает коррекцию ошибок, что критически важно для серверных систем и рабочих станций, где важна целостность данных.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что делает эту память экологически безопасной и экономичной.
  • Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.

Применение:

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK идеально подходит для использования в:

  • Серверах для обработки больших объемов данных.
  • Рабочих станциях для выполнения ресурсоемких задач, таких как 3D-моделирование, рендеринг и анализ данных.
  • Системах виртуализации и облачных вычислений.

Заключение:

Модуль оперативной памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK — это надежное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Его высокая скорость, поддержка ECC и энергоэффективность делают его отличным выбором для профессионалов, требующих стабильной и эффективной работы систем.

Основные характеристики

Производитель
Samsung
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M425R1GB4BB0-CQK
Радиатор
нет
Напряжение питания
1.1 В
Объем
1 модуль 8Gb
Тактовая частота
4800 МГц
Подсветка
нет
Производитель
Samsung
Пропускная способность
38400 Мб/с
Количество контактов
262
Срок гарантии
1 год
Поддержка ECC
нет
CAS Latency (CL)
40
Буферизованная (Registered)
нет
Тип памяти
DDR5
Тип памяти
DDR5
Подсветка
нет
CAS Latency (CL)
40
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тактовая частота
4800 МГц
PN
M425R1GB4BB0-CQK
Общий объём
8 Гб
Поддержка XMP
нет
Поддержка EXPO
нет
Упаковка чипов
двусторонняя
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары

Продолжая использовать наш сайт, Вы соглашаетесь на обработку файлов cookie, которые включают в себя: сведения о местоположении; тип, язык и версию операционной системы и браузера; сведения об используемом устройстве. Данные обрабатываются для предоставления наших услуг и улучшения качества работы нашего веб-сайта и сервисов. Для обработки также используется Яндекс Метрика и Google Analytics.

0
0
Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CQK
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
+7 (495) 789-49-93
0
0
0