Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK объемом 8 ГБ — это высококачественный модуль памяти, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает стабильную и высокую производительность, что делает его идеальным решением для задач, требующих интенсивной обработки данных.

Основные характеристики:

• Тип памяти: DDR4
• Объем: 8 ГБ
• Частота: 2666 МГц
• Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
• Напряжение: 1.2 В
• Тайминги: CL19
• Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)

Преимущества:

• Высокая надежность: Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK прошел строгие тесты на стабильность и долговечность, что гарантирует его надежную работу даже в условиях высокой нагрузки.
• Оптимизация для серверов: Благодаря поддержке ECC, память обеспечивает коррекцию ошибок, что критически важно для серверных систем и рабочих станций, где важна целостность данных.
• Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что делает эту память экологически безопасной и экономичной.
• Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.

Применение:

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK идеально подходит для использования в:

• Серверах для обработки больших объемов данных.
• Рабочих станциях для выполнения ресурсоемких задач, таких как 3D-моделирование, рендеринг и анализ данных.
• Системах виртуализации и облачных вычислений.

Заключение:

Модуль оперативной памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK — это надежное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Его высокая скорость, поддержка ECC и энергоэффективность делают его отличным выбором для профессионалов, требующих стабильной и эффективной работы систем.