
Оперативная память 8GB Samsung M425R1GB4BB0-CQK
Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK объемом 8 ГБ — это высококачественный модуль памяти, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает стабильную и высокую производительность, что делает его идеальным решением для задач, требующих интенсивной обработки данных.
Основные характеристики:
- Тип памяти: DDR4
- Объем: 8 ГБ
- Частота: 2666 МГц
- Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
- Напряжение: 1.2 В
- Тайминги: CL19
- Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)
Преимущества:
- Высокая надежность: Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK прошел строгие тесты на стабильность и долговечность, что гарантирует его надежную работу даже в условиях высокой нагрузки.
- Оптимизация для серверов: Благодаря поддержке ECC, память обеспечивает коррекцию ошибок, что критически важно для серверных систем и рабочих станций, где важна целостность данных.
- Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что делает эту память экологически безопасной и экономичной.
- Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.
Применение:
Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK идеально подходит для использования в:
- Серверах для обработки больших объемов данных.
- Рабочих станциях для выполнения ресурсоемких задач, таких как 3D-моделирование, рендеринг и анализ данных.
- Системах виртуализации и облачных вычислений.
Заключение:
Модуль оперативной памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK — это надежное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Его высокая скорость, поддержка ECC и энергоэффективность делают его отличным выбором для профессионалов, требующих стабильной и эффективной работы систем.
Основные характеристики
Нет вопросов об этом товаре.