Память оперативная 16GB Samsung DDR5 SODIMM M425R2GA3BB0-CWM

Память оперативная 16GB Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM объёмом 16 ГБ — это высококачественный модуль памяти, разработанный для использования в серверах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надёжность, что делает его идеальным решением для задач, требующих высокой скорости обработки данных и стабильной работы.

Основные характеристики:

• Тип памяти: DDR4
• Объём: 16 ГБ
• Частота: 2666 МГц
• Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
• Напряжение: 1.2 В
• Пропускная способность: 21300 МБ/с
• Тайминги: CL19
• Поддержка ECC: Да (Error-Correcting Code)

Преимущества:

• Высокая производительность: Модуль памяти обеспечивает быструю обработку данных, что особенно важно для серверов и рабочих станций, работающих с большими объёмами информации.
• Надёжность: Благодаря поддержке ECC, память способна обнаруживать и исправлять ошибки, что повышает стабильность системы.
• Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что особенно важно для энергоэффективных серверов.
• Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверов и рабочих станций, поддерживающих DDR4 RDIMM.

Применение:

Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM идеально подходит для использования в:

• Серверах для обработки больших объёмов данных.
• Рабочих станциях для выполнения ресурсоёмких задач, таких как 3D-моделирование, рендеринг и анализ данных.
• Системах виртуализации, где требуется высокая производительность и стабильность.

Заключение:

Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM — это надёжное и производительное решение для современных серверов и рабочих станций. Благодаря поддержке ECC, высокой частоте и низкому энергопотреблению, этот модуль памяти обеспечивает стабильную работу даже в самых требовательных условиях.