Телеграм Чат
Артикул:
M425R2GA3BB0-CWM
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2000011551544
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
24 120 ₽
Производитель
Samsung
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Радиатор
нет
Вес брутто (кг)
0.3
Напряжение питания
1.1 В
Объем
1 модуль 16Gb
Все характеристики

Оперативная память Samsung 16GB DDR5 SODIMM M425R2GA3BB0-CWM — это высокоскоростной модуль памяти нового поколения, созданный для модернизации ноутбуков и компактных ПК. Модуль стандарта DDR5 обеспечивает значительный прирост пропускной способности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями, что идеально подходит для повышения отзывчивости системы в ресурсоемких задачах, играх и многозадачной работе.

Скорость и эффективность DDR5

Модуль Samsung M425R2GA3BB0-CWM открывает новые возможности для вашего мобильного компьютера. Благодаря высокой тактовой частоте 5600 МГц и впечатляющей пропускной способности до 44800 МБ/с, он эффективно сокращает задержки при обращении к данным, ускоряя загрузку приложений, обработку файлов и работу в сложных программных средах. Низкое рабочее напряжение 1.1 В способствует снижению общего энергопотребления системы.

Надежность от Samsung

Модуль памяти произведен компанией Samsung — мировым лидером в производстве полупроводниковых компонентов, что гарантирует:

  • Стабильность работы: Строгий контроль качества на всех этапах производства обеспечивает безупречную надежность и совместимость.
  • Высокое качество чипов: Использование собственных чипов памяти Samsung, расположенных в двусторонней компоновке.
  • Оптимальные тайминги: Сбалансированные задержки CL46 обеспечивают хорошее соотношение производительности и стабильности.

Универсальный форм-фактор SODIMM

Компактный форм-фактор SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) с 262 контактами предназначен для установки в подавляющее большинство современных ноутбуков, ультрабуков, компактных настольных ПК (NUC) и моноблоков. Отсутствие радиатора делает модуль низкопрофильным и гарантирует совместимость даже с самыми тонкими корпусами.

Идеальное решение для апгрейда

Объема 16 ГБ достаточно для комфортной работы с офисными пакетами, десятками вкладок браузера, обработкой фотографий и даже для некоторых игр. Этот модуль — оптимальный выбор для расширения оперативной памяти вашего устройства с целью продления его актуальности и повышения общей производительности без замены самого компьютера.

Технические характеристики

Производитель / Модель Samsung / M425R2GA3BB0-CWM
Тип памяти / Форм-фактор DDR5 / 262-pin SODIMM
Тактовая частота 5600 МГц
Пропускная способность 44800 Мб/с
Объем модуля / Общий объем 1 модуль 16 ГБ / 16 ГБ
Тайминги (CL-tRCD-tRP) 46-45-45
Напряжение питания 1.1 В
Расположение чипов / Количество Двусторонняя / 8 чипов
ECC / XMP / EXPO Нет / Нет / Нет
Радиатор / Подсветка Нет / Нет
Гарантия 1 год

Часто задаваемые вопросы

Подойдет ли эта память для моего ноутбука?

Модуль подходит для ноутбуков и компактных ПК, поддерживающих стандарт памяти DDR5 и форм-фактор SODIMM. Перед покупкой необходимо уточнить в спецификациях вашего устройства поддерживаемый тип памяти (DDR4 или DDR5), максимальный объем и частоту.

Можно ли установить несколько таких модулей для работы в двухканальном режиме?

Да, для активации двухканального режима, который увеличивает пропускную способность, необходимо установить два идентичных модуля в соответствующие слоты на материнской плате. Рекомендуется использовать модули одной модели и объема.

Почему у памяти такие высокие тайминги (CL46)?

Для памяти стандарта DDR5 на высоких частотах (от 5600 МГц и выше) увеличенные задержки (тайминги) являются нормальной практикой и обусловлены архитектурными особенностями. Высокая частота и пропускная способность в целом компенсируют этот параметр, обеспечивая высокий прирост производительности.

Основные характеристики

Производитель
Samsung
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR5
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Радиатор
нет
Вес брутто (кг)
0.3
Напряжение питания
1.1 В
Объем
1 модуль 16Gb
Тактовая частота
5600 МГц
Пропускная способность
44800 Мб/с
Количество контактов
262
Срок гарантии
1 год
Поддержка ECC
нет
Количество чипов
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
45
Row Precharge Delay (tRP)
45
Буферизованная (Registered)
нет
Подсветка
нет
CAS Latency (CL)
46
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
PN
M425R2GA3BB0-CWM
Общий объём
16 Гб
Поддержка XMP
нет
Поддержка EXPO
нет
Упаковка чипов
двусторонняя
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Память оперативная 8GB Samsung M471A1G44CB0-CWE
M471A1G44CB0-CWE
В наличии
7 650 ₽
Память оперативная 32GB Kingston FURY Impact DDR5 SODIMM KF548S38IBK2-32
KF548S38IBK2-32
В наличии
31 020 ₽
Оперативная память Kingston 16GB ValueRAM DDR5 SODIMM KVR56S46BS8-16
KVR56S46BS8-16
В наличии
19 350 ₽
Модуль памяти 32GB Adata DDR5 SODIMM AD5S560032G-S
AD5S560032G-S
В наличии
37 210 ₽
Модуль памяти 8GB Patriot Signature Line DDR4 SODIMM PSD48G266681S
PSD48G266681S
В наличии
5 680 ₽
Модуль памяти для ноутбука 32GB Patriot Signature PSD432G26662S
PSD432G26662S
В наличии
28 720 ₽
Модуль памяти 8GB Patriot Signature Line DDR4 SODIMM PSD48G320081S
PSD48G320081S
В наличии
6 430 ₽
Модуль памяти для ноутбука 8GB Apacer ES.08G2V.GNH
ES.08G2V.GNH
В наличии
5 970 ₽
Модуль памяти 16GB Patriot Viper Steel DDR4 SODIMM PVS416G266C8S
PVS416G266C8S
В наличии
12 630 ₽
Модуль памяти 4GB Innodisk DDR3 SODIMM M3S0-4GMJDLPC
M3S0-4GMJDLPC
В наличии
2 640 ₽
Модуль памяти Synology 8GB DDR4 SODIMM D4ES01-8G
D4ES01-8G
В наличии
39 970 ₽
Оперативная память 64GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF548S38IBK2-64
KF548S38IBK2-64
В наличии
78 770 ₽
Оперативная память 32GB Kingston Fury Impact KF556S40IBK2-32
KF556S40IBK2-32
В наличии
40 930 ₽
Оперативная память 64GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF556S40IBK2-64
KF556S40IBK2-64
В наличии
80 500 ₽
Оперативная память 32GB Kingston Fury Impact DDR5 SODIMM KF564S38IBK2-32
KF564S38IBK2-32
В наличии
39 300 ₽
Вы смотрели
0
0