Телеграм Чат
Артикул:
KVR16N11S8K2/8WP
Производитель:
KINGSTON
EAN:
740617317367
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
5 410 ₽
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR3
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
240
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Все характеристики

Оперативная память 8GB Kingston DDR3 1600 DIMM KVR16N11S8K2/8WP

Оперативная память Kingston DDR3 1600 DIMM KVR16N11S8K2/8WP — это надежное и производительное решение для модернизации или сборки компьютеров. Модуль памяти объемом 8 ГБ (2x4 ГБ) обеспечивает стабильную работу системы и поддерживает высокую скорость передачи данных.

Основные характеристики:

  • Тип памяти: DDR3
  • Объем: 8 ГБ (2 модуля по 4 ГБ)
  • Частота: 1600 МГц
  • Форм-фактор: DIMM
  • Напряжение: 1.5 В
  • Тайминги: CL11
  • Тип модуля: Non-ECC, Unbuffered
  • Организация: 1Rx8
  • Назначение: для настольных ПК

Преимущества:

  • Высокая производительность: частота 1600 МГц обеспечивает быструю обработку данных.
  • Надежность: модули памяти Kingston известны своим качеством и долговечностью.
  • Совместимость: подходит для большинства современных материнских плат с поддержкой DDR3.
  • Энергоэффективность: низкое напряжение 1.5 В снижает энергопотребление.

Применение:

Оперативная память Kingston DDR3 1600 DIMM KVR16N11S8K2/8WP идеально подходит для:

  • Модернизации старых компьютеров.
  • Сборки новых систем для офисных задач, мультимедиа и игр.
  • Использования в рабочих станциях и серверах начального уровня.

Комплектация:

  • 2 модуля памяти по 4 ГБ.
  • Документация (при наличии).

Оперативная память Kingston DDR3 1600 DIMM KVR16N11S8K2/8WP — это отличный выбор для тех, кто ищет надежное и производительное решение по доступной цене.

Основные характеристики

Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR3
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
240
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Value
Эффективная частота, МГц
1600
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.5
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
11
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
12800
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти DDR4 G.Skill TRIDENT Z NEO 32GB (2x16GB) F4-3600C16D-32GTZNC
F4-3600C16D-32GTZNC
В наличии
25 830 ₽
Модуль памяти DDR4 G.Skill TRIDENT Z RGB 32GB (2x16GB) F4-3600C18D-32GTZR
F4-3600C18D-32GTZR
В наличии
24 060 ₽
Оперативная память Foxline DIMM 32GB DDR4 FL2933D4U21-32G
FL2933D4U21-32G
В наличии
16 920 ₽
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 RDIMM M393A8G40AB2-CVF
M393A8G40AB2-CVF
В наличии
38 380 ₽
Оперативная память 16GB Netac Shadow DDR4 DIMM NTSDD4P26SP-16Y
NTSDD4P26SP-16Y
В наличии
8 900 ₽
Модуль памяти для СХД 16GB DDR4 RAM-16GDR4A0-UD-2400 QNAP
RAM-16GDR4A0-UD-2400
В наличии
64 160 ₽
Оперативная память 16GB Netac DDR5 SODIMM NTBSD4N32SP-16
NTBSD4N32SP-16
В наличии
9 810 ₽
Оперативная память 16GB Netac Shadow DDR4 DIMM NTSDD4P32SP-16E
NTSDD4P32SP-16E
В наличии
9 220 ₽
Оперативная память 8GB Netac DDR5 DIMM NTBSD5P48SP-08
NTBSD5P48SP-08
В наличии
16 340 ₽
Оперативная память 16GB Netac Shadow RGB DDR4 DIMM NTSRD4P32DP-16S
NTSRD4P32DP-16S
В наличии
11 290 ₽
Оперативная память Foxline DIMM 16GB 3200 DDR4 CL22 (2Gb*8)
FL3200D4U22S-16G
В наличии
8 740 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V
M323R4GA3BB0-CQKOD
В наличии
35 970 ₽
Оперативная память 16GB AMD R5 DDR5 DIMM R5S516G4800U1S
R5S516G4800U1S
В наличии
13 860 ₽
Модуль памяти DDR5 G.Skill TRIDENT Z5 32GB (2x16GB) F5-6000J3040F16GX2-TZ5K Black
F5-6000J3040F16GX2-TZ5K
В наличии
42 680 ₽
Модуль памяти DDR5 32GB Samsung M323R4GA3BB0-CQK
M323R4GA3BB0-CQK
В наличии
35 970 ₽
Вы смотрели
0
0