В наличии
51 150 ₽
Форм-фактор
DIMMТип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1Стандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288Ширина (мм)
133.35Высота (мм)
31.25Оперативная память 32GB Samsung DDR4 M393A4G40AB3-CWE 3200MHz 1Rx4 DIMM Registred ECC
- Тип памяти: Unbuffered
- Форм-фактор: DIMM
- Стандарт памяти: DDR4
- Объем одного модуля, ГБ: 32
- Количество модулей в комплекте, шт: 1
- Суммарный объем, ГБ: 32
- Эффективная частота, МГц: 3200
- Пропускная способность, Мб/с: 25600
- Поддержка ECC: Да
- Низкопрофильная: Нет
- Количество чипов на модуле, шт: 18
- Количество ранков: 1
- Количество контактов: 288
- CAS Latency (CL): 22
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22
- Row Precharge Delay (tRP): 22
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
- Напряжение питания, В: 1.2
- Нормальная операционная температура, °C: 85
- Расширенная операционная температура, °C: 95
- Ширина, мм: 133.35
- Высота, мм: 31.25
- Вид поставки: RTL
- Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CWE/
Основные характеристики
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Ширина (мм)
133.35
Высота (мм)
31.25
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Да
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
18
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
44
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели
