







В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
20 590 ₽
Форм-фактор
DIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
1Стандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288Ширина, мм
133.35Высота, мм
31.25Оперативная память 32GB Samsung DDR4 M393A4G40AB3-CWE 3200MHz 1Rx4 DIMM Registred ECC
- Тип памяти: Unbuffered
- Форм-фактор: DIMM
- Стандарт памяти: DDR4
- Объем одного модуля, ГБ: 32
- Количество модулей в комплекте, шт: 1
- Суммарный объем, ГБ: 32
- Эффективная частота, МГц: 3200
- Пропускная способность, Мб/с: 25600
- Поддержка ECC: Да
- Низкопрофильная: Нет
- Количество чипов на модуле, шт: 18
- Количество ранков: 1
- Количество контактов: 288
- CAS Latency (CL): 22
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22
- Row Precharge Delay (tRP): 22
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
- Напряжение питания, В: 1.2
- Нормальная операционная температура, °C: 85
- Расширенная операционная температура, °C: 95
- Ширина, мм: 133.35
- Высота, мм: 31.25
- Вид поставки: RTL
- Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CWE/
Основные характеристики
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
31.25
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Да
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
3200
Пропускная способность, Мб/с
25600
CAS Latency (CL)
22
Вид поставки
RTL
Напряжение питания (В)
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
18
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
44
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары