Память HPE 32GB (1x32GB) 2Rx4 DDR4-3200 Registered Smart Memory Kit for Gen10+

Память HPE 32GB (1x32GB) 2Rx4 DDR4-3200 Registered Smart Memory Kit for Gen10+ — это высокопроизводительный модуль оперативной памяти, разработанный для серверов Hewlett Packard Enterprise (HPE) поколения Gen10 и выше. Этот модуль памяти обеспечивает высокую скорость передачи данных и надежность, что делает его идеальным решением для современных центров обработки данных (ЦОД), виртуализации и других ресурсоемких задач.

Основные характеристики:

Объем памяти: 32 ГБ (1 модуль 32 ГБ).
Тип памяти: DDR4.
Скорость: 3200 МГц.
Форм-фактор: Registered (RDIMM).
Ранг: 2Rx4 (двухранговая организация).
Совместимость: Серверы HPE ProLiant Gen10 и выше.
Технология Smart Memory: Обеспечивает повышенную надежность и производительность благодаря встроенной коррекции ошибок (ECC) и другим функциям.

Преимущества:

Высокая производительность: Скорость 3200 МГц обеспечивает быструю обработку данных, что критично для современных серверных приложений.
Надежность: Технология ECC и Registered DIMM минимизируют вероятность ошибок и повышают стабильность работы системы.
Оптимизация для серверов HPE: Полная совместимость с серверами HPE Gen10+ гарантирует стабильную работу и поддержку всех функций.
Энергоэффективность: DDR4 потребляет меньше энергии по сравнению с предыдущими поколениями памяти, что снижает общие затраты на эксплуатацию.

Применение:

Модуль памяти HPE 32GB DDR4-3200 идеально подходит для использования в серверах, работающих в условиях высокой нагрузки, таких как:

Центры обработки данных (ЦОД).
Виртуализация и облачные вычисления.
Базы данных и хранилища данных.
Высокопроизводительные вычисления (HPC).
Корпоративные приложения и системы.

Заключение:

Память HPE 32GB (1x32GB) 2Rx4 DDR4-3200 Registered Smart Memory Kit for Gen10+ — это надежное и производительное решение для современных серверов. Благодаря высокой скорости, поддержке ECC и совместимости с серверами HPE Gen10+, этот модуль памяти обеспечивает стабильную работу даже в самых требовательных условиях.