Телеграм Чат
Артикул:
M471A2G43AB2-CWE
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2000012090325
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
13 420 ₽
Форм-фактор
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Температура работы
0 °C ~ 85 °C
Напряжение питания
1.2 В
Рекомендуемая область применения
Ноутбуки, компактные ПК, моноблоки
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность (PC)
PC4-25600
Чипы памяти
Samsung
Все характеристики

Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 SO DIMM M471A2G43AB2-CWE — это высоконадежный и производительный модуль оперативной памяти, созданный для модернизации и сборки современных мобильных и компактных систем. Изготовленный на собственных чипах памяти Samsung по передовому 10-нм техпроцессу, он обеспечивает стабильную работу на частоте 3200 МГц с низким напряжением 1.2 В. Двухранговая конструкция (2Rx8) оптимизирует пропускную способность, что делает этот модуль идеальным выбором для повышения отзывчивости ноутбуков, моноблоков и компактных ПК.

Надежность и совместимость от Samsung

Модуль памяти Samsung DDR4 — это эталон качества и стабильности. Полностью соответствующий стандартам JEDEC, он гарантирует безупречную совместимость с широким спектром устройств без необходимости настройки в BIOS. Использование чипов собственного производства позволяет Samsung осуществлять полный контроль над качеством на каждом этапе, обеспечивая длительный срок службы и надежность даже при интенсивной ежедневной нагрузке.

Высокая производительность для мобильных систем

Модуль формата SO-DIMM разработан специально для пространственно-ограниченных корпусов:

  • Скорость передачи данных: Тактовая частота 3200 МГц и пропускная способность PC4-25600 обеспечивают быструю загрузку приложений и комфортную работу с несколькими задачами одновременно.
  • Энергоэффективность: Низкое рабочее напряжение 1.2 В снижает общее энергопотребление системы, что положительно сказывается на автономности ноутбуков.
  • Оптимизированные тайминги: Латентность CL22 обеспечивает оптимальный баланс между скоростью и стабильностью работы для большинства пользовательских и офисных сценариев.

Универсальность применения

Благодаря стандартному форм-фактору SO-DIMM и поддержке распространенного профиля JEDEC, данная память является готовым решением для апгрейда огромного парка устройств. Она идеально подходит для современных ноутбуков, компактных настольных компьютеров (NUC, мини-ПК), моноблоков и промышленных решений, где критически важны надежность и соответствие спецификациям.

Технические характеристики

Тип памяти DDR4
Объем одного модуля 16 ГБ
Форм-фактор SO-DIMM (260 pin)
Тактовая частота 3200 МГц
Напряжение питания 1.2 В
Латентность (тайминги) CL22
Поддержка XMP Нет (работа по стандарту JEDEC)
Рангность 2Rx8 (двухранговая)
Пропускная способность (PC) PC4-25600
Температура работы 0 °C ~ 85 °C
Техпроцесс 10 нм
Чипы памяти Samsung
Номер детали (Part Number) M471A2G43AB2-CWE

Часто задаваемые вопросы

Подойдет ли этот модуль для моего ноутбука?

Модуль подходит для большинства ноутбуков и компактных ПК, выпущенных после 2017-2018 годов, с поддержкой памяти DDR4 и процессоров Intel Core 8-го поколения или новее, а также AMD Ryzen. Для точного определения совместимости проверьте спецификации вашей модели на сайте производителя.

Можно ли установить два таких модуля для работы в двухканальном режиме?

Да, для активации двухканального режима и повышения производительности рекомендуется установить два идентичных модуля Samsung M471A2G43AB2-CWE в соответствующие слоты на материнской плате вашего устройства.

В чем преимущество двухранговой (2Rx8) памяти?

Двухранговая организация памяти позволяет более эффективно использовать пропускную способность шины по сравнению с одноранговыми модулями (1Rx8), что в некоторых приложениях и задачах может дать небольшой прирост производительности.

Основные характеристики

Форм-фактор
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Температура работы
0 °C ~ 85 °C
Напряжение питания
1.2 В
Рекомендуемая область применения
Ноутбуки, компактные ПК, моноблоки
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность (PC)
PC4-25600
Чипы памяти
Samsung
Рангность
2Rx8 (двухранговая)
Поддержка профилей XMP
Нет
Объем одного модуля
16 ГБ
Техпроцесс
10 нм
Латентность (тайминги)
CL22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Samsung 32GB DDR5 SODIMM M425R4GA3BB0-CQK
M425R4GA3BB0-CQK
В наличии
40 030 ₽
Модуль памяти Kingston 16GB DDR4 SO DIMM KVR32S22D8/16WP
KVR32S22D8/16WP
В наличии
11 300 ₽
Модуль памяти 32GB Samsung DDR5 SO DIMM M425R4GA3BB0-CWM
M425R4GA3BB0-CWM
В наличии
38 770 ₽
Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 SO DIMM M425R1GB4PB0-CWM
M425R1GB4PB0-CWM
В наличии
17 690 ₽
Модуль памяти 16GB Crucial DDR5 SO DIMM CT16G56C46S5T
CT16G56C46S5T
В наличии
20 180 ₽
Модуль памяти 16GB Crucial DDR4 SO DIMM CT16G4SFS832AT
CT16G4SFS832AT
В наличии
11 710 ₽
Модуль памяти 32GB Crucial DDR5 SO DIMM CT32G56C46S5T
CT32G56C46S5T
В наличии
39 170 ₽
Вы смотрели
0
0