Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Артикул:
R7416G2606S2S-UO
Производитель:
AMD
EAN:
4897065182194
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
2 543 ₽
Форм фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Поддержка ECC
Нет
Все характеристики
Модуль памяти для ноутбука 16GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC - отличное решение для повышения производительности вашего ноутбука. С этим модулем памяти вы сможете запускать и работать с большим количеством приложений одновременно, без задержек и подвисаний.
Модуль памяти имеет пропускную способность 21300, что обеспечивает быструю передачу данных и позволяет вашему ноутбуку работать на высокой скорости. Благодаря технологии DDR4 и частоте 2666 МГц, модуль памяти обеспечивает стабильную и эффективную работу системы.
Модуль памяти совместим с ноутбуками, поддерживающими стандарт SO DIMM. Он легко устанавливается и не требует дополнительных настроек. Благодаря надежной конструкции и высокому качеству компонентов, модуль памяти обеспечивает долгий срок службы и надежную работу.
Модуль памяти выполнен в стильном черном цвете, который отлично сочетается с любым дизайном ноутбука. Бренд AMD Radeon гарантирует высокое качество и надежность продукта.
Приобретая модуль памяти для ноутбука 16GB AMD Radeon DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, вы получаете надежное и производительное решение для вашего ноутбука. Улучшите работу своего устройства с помощью этого модуля памяти.

Основные характеристики

Форм фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R7 Performance
Вид поставки
OEM
Объем одного модуля (ГБ)
16
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
16
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
16
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
16
Объем одного модуля (ГБ)
16
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Память для ноутбука Foxline SODIMM 32GB 3200 DDR4 CL22 (2Gb*8)
FL3200D4S22-32G
В наличии
7 544 ₽
Память для ноутбука Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200, 1.2V
M471A1K43EB1-CWE
В наличии
3 029 ₽
Память для ноутбука Foxline SODIMM 8GB 3200 DDR4 CL22 (1Gb*8)
FL3200D4S22-8G
В наличии
1 789 ₽
0
0