Телеграм Чат
Артикул:
MN8GSD42666
Производитель:
PNY
EAN:
751492632759
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
2 980 ₽

Модуль памяти 8GB PNY DDR4 2666 SO DIMM Performance Non-ECC CL19 1.2V RTL (MN8GSD42666) — высокопроизводительная оперативная память форм-фактора SODIMM, предназначенная для ноутбуков, мини-ПК и компактных рабочих станций. Объем 8 ГБ, частота 2666 МГц (пропускная способность 21300 МБ/с) и низкое напряжение 1.2 В обеспечивают отличную скорость работы современных приложений. Модуль относится к серии PNY Performance, оптимизирован для стабильной работы и совместим с большинством материнских плат, поддерживающих DDR4.

Высокая производительность и энергоэффективность

Модуль PNY DDR4 2666 МГц построен на качественных чипах и обеспечивает стабильную работу в интенсивных задачах. Частота 2666 МГц и тайминги CL19 сбалансированы для повседневного использования и игр.

Форм-фактор SODIMM для мобильных систем

  • Компактный размер 69.6×30 мм — подходит для ноутбуков, моноблоков, mini-ITX систем.
  • 260 контактов — стандартный разъем для DDR4 SO DIMM.
  • Двухранковая архитектура (2 ranks) — улучшает пропускную способность и снижает задержки.

Энергопотребление 1.2 В

Напряжение 1.2 В на 20% ниже, чем у DDR3, что увеличивает время автономной работы ноутбука и уменьшает нагрев.

Совместимость и надёжность

Память PNY проходит строгие тесты совместимости с ведущими платформами Intel и AMD. Без ECC, но с небуферизированной архитектурой (Unbuffered) для минимальных задержек.

Поддержка материнских плат

  • Intel: серии H310, B360, H370, Z370, Z390, X299, а также мобильные чипсеты HM370, CM246 и др.
  • AMD: A320, B350, B450, X370, X470, X570 (при наличии поддержки SODIMM).

Гарантия и качество

PNY предоставляет ограниченную пожизненную гарантию на модули памяти Performance. Все модули произведены из сертифицированных компонентов.

Дополнительные особенности

Тайминги CL19-19-19-40

Стандартные тайминги для DDR4 2666 МГц, обеспечивающие баланс между быстродействием и стабильностью.

Рабочая температура до 95°C

Модуль способен работать при повышенных температурах (расширенный диапазон до 95°C), что важно для компактных и слабо вентилируемых корпусов.

Одномодульная поставка

В комплекте 1 модуль объёмом 8 ГБ. При необходимости можно установить два модуля для работы в двухканальном режиме.

Совместимое оборудование и аксессуары

Модуль PNY MN8GSD42666 совместим с большинством ноутбуков и мини-ПК, оснащённых слотами DDR4 SODIMM. Рекомендуется использовать с совместимыми процессорами и материнскими платами.

Тип оборудования Рекомендуемые модели / спецификации Примечание
Ноутбуки Lenovo ThinkPad, Dell Latitude/Precision/XPS, HP EliteBook/ProBook, ASUS ZenBook, Acer Swift и др. Проверьте поддерживаемый объём и частоту в BIOS
Материнские платы для мини-ПК Gigabyte B450 I AORUS PRO, ASUS ROG STRIX Z390-I GAMING, MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC Требуется форм-фактор mini-ITX
Платформы Intel NUC Intel NUC8i7BEH, NUC10i7FNH, NUC11PAHi7 Поддерживают до 64 ГБ DDR4 2666
Моноблоки iMac 2019/2020, Dell Inspiron 27 7775, HP All-in-One 24 Используют SODIMM-модули
Терминалы и тонкие клиенты HP t640, Dell Wyse 5070, Lenovo ThinkCentre M60e Обычно требуют низкопрофильную память

Аналоги PNY Performance DDR4 2666 8GB SO DIMM (MN8GSD42666)

Если модель недоступна или требуется сравнение, рассмотрите следующие альтернативы с близкими характеристиками.

Производитель Модель Ключевые отличия / сходство
PNY MN8GSD42666 (данная модель) Базовая модель с частотой 2666 МГц, CL19, 1.2 В.
Kingston KVR26S19S8/8 Аналогичные характеристики: 8GB, 2666, CL19, 1.2В. Часто используется в OEM-системах.
Samsung M471A1K43DB1-CWE Оригинальная память Samsung, часто устанавливается в ноутбуках. Характеристики идентичны.
Crucial CT8G4SFS8266 Высокое качество Micron, CL19, 8GB, 2666, поддержка многих систем.
Hynix HMA81GS6JJR8N-VK Память Hynix, используется в ноутбуках HP, Lenovo. CL19.
Corsair CMSA8GX4M1A2666C19 Серия ValueSelect, низкопрофильный дизайн, 8GB, 2666, CL19, 1.2V.

Рекомендация: При выборе аналога убедитесь, что модуль имеет форм-фактор SODIMM, частоту 2666 МГц и тайминги CL19. Для двухканального режима лучше приобретать парные модули одного производителя.

Кому подойдёт модуль 8GB PNY DDR4 2666 SO DIMM (MN8GSD42666)

Рекомендуется, если вам нужно:

  • Расширить память ноутбука, моноблока или мини-ПК (NUC, Mac Mini).
  • Повысить производительность в офисных приложениях, браузере, лёгком монтаже и CAD.
  • Недорогое и надёжное решение от бренда PNY с пожизненной гарантией.
  • Энергоэффективная память 1.2 В для увеличения времени работы от батареи.
  • Объём 8 ГБ для комфортной работы в Windows / macOS / Linux.

Вероятно, не подойдёт, если:

  • Вам нужна память для десктопного ПК (форм-фактор DIMM) — это SODIMM.
  • Требуется ECC-память для серверов — модуль без ECC.
  • Планируете разгон – серия Performance ориентирована на стандартные частоты.
  • Необходим объём 16 ГБ или 32 ГБ в одном модуле — рассматривайте старшие модели.

Конструкция и условия эксплуатации

Компактный SODIMM

Размеры 69.6×30 мм, высота всего 30 мм — вписывается даже в тонкие ноутбуки. Стандартное количество контактов 260.

Диапазон рабочих температур

  • Нормальный режим: до 85°C
  • Расширенный режим: до 95°C (допустимо кратковременно)
  • Напряжение: 1.2 В ± 5%

Модуль устойчив к типичным условиям внутри корпуса ноутбука. Рекомендуется обеспечивать пассивное охлаждение.

Технические характеристики

МодельPNY MN8GSD42666
Серия продукцииPerformance
Тип памятиUnbuffered
Форм-факторSODIMM
Стандарт памятиDDR4
Объем одного модуля, ГБ8
Количество модулей в комплекте, шт1
Суммарный объем, ГБ8
Эффективная частота, МГц2666
Пропускная способность, Мб/с21300
Поддержка ECCНет
НизкопрофильнаяНет
Количество чипов на модуле, шт8
Количество ранков2
Количество контактов260
CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19
Activate to Precharge Delay (tRAS)40
Напряжение питания, В1.2
Нормальная операционная температура, °C85
Расширенная операционная температура, °C95
Ширина, мм69.6
Высота, мм30
Вид поставкиRTL
ПроизводительPNY
Ссылка на описаниеСтраница продукта

Часто задаваемые вопросы

Какой объём памяти в одном модуле?

8 ГБ. Это один модуль в комплекте. Для увеличения объёма до 16 ГБ можно добавить ещё один такой же модуль (при наличии свободного слота).

Подходит ли эта память для игрового ноутбука?

Да, 8 ГБ DDR4 2666 МГц — базовый объём для современных игр. Однако для тяжелых проектов рекомендуется 16 ГБ и выше. Модуль совместим с большинством игровых ноутбуков.

В чём разница между SODIMM и DIMM?

SODIMM — компактный форм-фактор для ноутбуков и компактных систем (длина 69.6 мм). DIMM — полноразмерный для настольных ПК (длина 133 мм). Этот модуль — SODIMM.

Какие тайминги у памяти?

CL19-19-19-40 для частоты 2666 МГц. Это стандартные тайминги для данной частоты.

Можно ли установить два таких модуля для двухканального режима?

Да, если на материнской плате есть два слота SODIMM и процессор поддерживает двухканальный режим. Рекомендуется использовать одинаковые модули.

Какое напряжение питания?

1.2 В, что соответствует стандарту DDR4. Это энергоэффективнее, чем DDR3 (1.5 В).

Как узнать, совместим ли модуль с моим ноутбуком?

Проверьте, поддерживает ли ноутбук DDR4, имеет ли слоты SODIMM и максимальную частоту 2666 МГц. Обычно это указано в спецификациях на сайте производителя.

Где можно посмотреть официальную страницу продукта?

Ссылка: PNY MN8GSD42666

Какая гарантия на этот модуль?

PNY предоставляет ограниченную пожизненную гарантию на модули памяти серии Performance. Условия могут различаться в зависимости от региона.

Подходит ли для MacBook?

Да, модуль совместим с MacBook Pro / Air 2016–2019 годов, Mac mini 2018, iMac 2019/2020 при условии использования переходной планки или прямого слота (только модели с заменяемой памятью). Уточните поддержку вашей модели.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Эффективная частота, МГц
2666
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
21300
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 RDIMM 1x64GB 1.2V M393A8G40AB2-CVF
M393A8G40AB2-CVF
В наличии
40 510 ₽
Оперативная память Netac DDR4 16GB 3200MHz CL22 DIMM NTBSD4P32SP-32J
NTBSD4P32SP-32J
В наличии
22 660 ₽
Оперативная память Apacer 16GB DDR4 2666 SODIMM Non-ECC CL19 ES.16G2V.PRH
ES.16G2V.PRH
В наличии
14 560 ₽
Оперативная память Kingston DDR4 32GB 3200MHz CL22 SO-DIMM KCP432SD8/32
KCP432SD8/32
В наличии
22 830 ₽
Вы смотрели
0
0