![Модуль памяти 16GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN16GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632742) Модуль памяти 16GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN16GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632742)](https://comparema.ru/image/cache/catalog/products/0340792-500x400.jpg)
Нет в наличии
7 240 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Стандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
НетКоличество контактов
260Ширина,мм
69.6Высота,мм
30Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина,мм
69.6
Высота,мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
16
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
16
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля (ГБ)
16
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары