Нет в наличии
9 110 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260Ширина (мм)
69.6Высота (мм)
30Ссылка на описание
httpsКомплект памяти DDR4 SODIMM 16Гб (2x8Гб) 3200MHz CL20, Kingston HyperX Impact DDR4
Технические характеристики
- Серия продукции: HyperX Impact
- Тип памяти: Unbuffered
- Форм-фактор: SODIMM
- Стандарт памяти: DDR4
- Объем одного модуля, ГБ: 8
- Количество модулей в комплекте, шт: 2
- Суммарный объем, ГБ: 16
- Эффективная частота, МГц: 3200
- Пропускная способность, Мб/с: 25600
- Поддержка ECC: Нет
- Низкопрофильная: Нет
- Количество чипов на модуле, шт: 8
- Количество контактов: 260
- CAS Latency (CL): 20
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22
- Row Precharge Delay (tRP): 22
- Напряжение питания, В: 1.2
- Нормальная операционная температура, °C: 85
- Расширенная операционная температура, °C: 95
- Ширина, мм: 69.6
- Высота, мм: 30
- Вид поставки: RTL
- Ссылка на описание: https://www.kingston.com/dataSheets/HX432S20IB2K2_16.pdf
Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
16
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
20
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
2
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели
