Аналитики TrendForce в бюллетене рынка DRAM от 4 ноября 2026 года подвели итог квартальных отчётов производителей памяти: поставки HBM на 2027 год уже распределены. SK hynix согласовала с крупными клиентами объёмы и цены HBM на следующий год и ждёт, что в 4-м квартале 2026 года HBM4 обгонит HBM3E и по отгрузкам, и по выручке. Samsung 29 октября сама заявила, что запланированный объём HBM на 2027 год продан по целевым ценам, а массовое производство HBM4E начнётся в первой половине 2027 года. Одновременно производители переводят и обычную DRAM на долгосрочные контракты с минимальной ценой, обязательными объёмами и предоплатой.
Что именно сообщила TrendForce
Бюллетень TrendForce от 4 ноября сводит вместе заявления производителей на отчётах за 3-й квартал 2026 года и выводы аналитиков:
- SK hynix на отчёте 28 октября сообщила, что завершила переговоры с крупными клиентами об объёмах и ценах HBM на 2027 год. Массовые отгрузки HBM4 начались в 3-м квартале, а в 4-м квартале HBM4 должна обогнать HBM3E по доле в отгрузках и выручке. Чтобы успеть, компания выводит завод M15X на полную мощность к концу года.
- Samsung на отчёте 29 октября заявила, что запланированный объём HBM на 2027 год продан, переговоры закрыты на уровне целевых цен. Выручка от HBM4 в 3-м квартале выросла более чем втрое к прошлому кварталу и составила около 60% продаж HBM. Массовое производство HBM4E — в первой половине 2027 года, наращивание — во второй.
- Долгосрочные контракты. Производители увеличивают долю долгосрочных соглашений (LTA) и закрепляют в них минимальные цены, обязательные объёмы и предоплату. По оценке TrendForce, ценообразование на DRAM в целом смещается к долгосрочным контрактам.
Третий крупный производитель, Micron, ещё 30 сентября сообщил, что подписал соглашения на подавляющую часть своих поставок HBM на 2027 год со значительным ростом цен.
Почему это важно
HBM — память для ускорителей ИИ. Кристаллы DRAM собирают в стопку (стек) из 8–16 слоёв, ставят на одну подложку рядом с графическим процессором и соединяют с ним очень широкой шиной. Так получается пропускная способность в несколько терабайт в секунду на стек — без неё не работают современные ускорители для обучения и запуска больших моделей.
HBM продают не на открытом рынке, а по годовым контрактам: объёмы и цены на следующий год производители памяти и покупатели — NVIDIA, AMD, облачные компании — согласуют заранее. То, что переговоры по 2027 году закончились уже в октябре, значит одно: свободной HBM на следующий год почти нет, и выпуск ускорителей в 2027 году ограничен тем, что уже законтрактовано.
Это касается не только ускорителей. HBM и обычную DRAM выпускают одни и те же заводы, а на гигабайт HBM уходит больше кремниевых пластин, чем на гигабайт DDR5. По оценке TrendForce, доля HBM в мощностях DRAM вырастет примерно с 20% до 30% к 2027 году, а отгрузки HBM в битах в 2027 году вырастут на 50–60% — и этого всё равно не хватит под спрос. Всё, что ушло на HBM, не достанется серверной DDR5 и памяти для ПК.
Что смягчает ситуацию:
- Долгосрочные контракты делают цены и поставки предсказуемыми. У SK hynix цена в таких контрактах меняется вслед за рынком, но в пределах коридора, согласованного с клиентом.
- Производители ускорителей экономят память: NVIDIA с 3-го квартала 2026 года рассматривает для Rubin Ultra варианты с 8-слойными стеками вместо 12-слойных, а по прогнозу TrendForce многие производители GPU и ASIC в 2027 году будут в первую очередь рассматривать 8-слойные стеки.
- Строятся новые мощности: SK hynix выводит на полную мощность M15X и в 2027 году запускает первую очередь завода в Йонъине.
Что настораживает:
- По прогнозу TrendForce, средняя цена HBM в 2027 году вырастет на 121%. Ускорители и серверы на их основе подорожают.
- Чем больше памяти уходит по долгосрочным контрактам, тем меньше остаётся на спотовом рынке, где покупают небольшие компании и поставщики параллельного импорта.
- Меньше слоёв — не значит дешевле за гигабайт: в каждом стеке один базовый кристалл, поэтому 8-слойная HBM в 2027 году будет на 10–20% дороже 12-слойной в пересчёте на гигабит.
- SK hynix ждёт, что спрос на память будет превышать предложение до 2030 года.
HBM3E, HBM4 и HBM4E: характеристики и цена
| Параметр | HBM3E | HBM4 | HBM4E |
|---|---|---|---|
| Ширина шины стека | 1024 бит | 2048 бит | 2048 бит |
| Скорость на контакт | до 9,6 Гбит/с | 8 Гбит/с по стандарту JEDEC; 11,7 Гбит/с, до 13 Гбит/с у Samsung | 14 Гбит/с, до 16 Гбит/с (образцы Samsung и SK hynix) |
| Пропускная способность стека | около 1,2 ТБ/с | 2 ТБ/с по стандарту; до 3,3 ТБ/с у Samsung | до 3,6 ТБ/с (заявлено Samsung) |
| Объём 12-слойного стека | 36 ГБ | 36 ГБ; стандарт допускает до 64 ГБ в 16 слоях | 48 ГБ |
| Массовое производство | с 2024 года | с февраля 2026 года, Samsung — первой | 1-я половина 2027 года (план Samsung), SK hynix и Micron — 2027 год |
| Где применяется | NVIDIA H200, B200, B300; AMD MI355X | NVIDIA Rubin, AMD MI455X | следующие поколения ускорителей |
| Цена | около $1,5 за Гбит (около $430 за стек 36 ГБ) | от $4,5 за Гбит в предложениях Samsung на 2027 год, около $1300 за стек 36 ГБ | не объявлена |
Источники: JEDEC JESD270-4 (16.04.2025); пресс-релизы Samsung о HBM4 (12.02.2026) и HBM4E (29.05.2026); SK hynix о HBM4E (18.06.2026). Цены — не официальные данные, а оценки корейских СМИ по контрактам на 2027 год; производители цены не публикуют.
SK hynix, Samsung и Micron: кто что законтрактовал
| Параметр | SK hynix | Samsung | Micron |
|---|---|---|---|
| HBM на 2027 год | объёмы и цены согласованы с крупными клиентами | запланированный объём продан, цены — на целевом уровне | соглашения на подавляющую часть объёма |
| Горизонт дефицита | DRAM и HBM фактически распроданы до 2029 года с учётом объёмов в переговорах | дефицит усилится в 2027 году | предложение будет «намного жёстче» в 2027–2028 годах |
| HBM4 | в 4 кв. 2026 обгонит HBM3E по отгрузкам и выручке | выручка в 3 кв. выросла более чем втрое, около 60% продаж HBM | в массовом производстве |
| HBM4E | образцы 12-Hi с июня 2026 года; массовое производство — 2027 год | первой отгрузила образцы (май 2026); массовое производство — 1П 2027 | заказная HBM4E для NVIDIA (NV-HBM) |
| Долгосрочные контракты | 14 клиентов, более 50% мощностей на 2027–2028 годы, цена в согласованном коридоре | 10 клиентов и ещё 10 в переговорах; цель — 60–70% мощностей под многолетними контрактами | многолетние соглашения, в том числе по принципу «бери или плати» |
| Дата заявления | 28.10.2026 | 29.10.2026 | 30.09.2026 |
Источники: пресс-релиз и конференц-звонок SK hynix 28.10.2026; конференц-звонок Samsung 29.10.2026 (по данным Chosun Biz, Sammy Fans, TrendForce); конференц-звонок Micron 30.09.2026. «Распродано» компании понимают по-разному: у SK hynix в срок до 2029 года входят и объёмы, по которым переговоры ещё идут, у Samsung речь только о HBM на 2027 год, но с закрытыми ценами.
Спецификации производителей. NVIDIA Rubin — 288 ГБ HBM4, 19,2 ТБ/с по текущей спецификации NVIDIA (в начале 2026 года заявляли 22 ТБ/с). AMD MI455X — 432 ГБ HBM4, до 23,3 ТБ/с по данным AMD. RTX PRO 6000 — серверная версия Blackwell Server Edition, 96 ГБ, 1597 ГБ/с; A100 — версия 40 ГБ PCIe. Ускорители разного класса и цены: сравнение показывает только скорость памяти.
Как посчитать пропускную способность памяти: формула и таблица
Пропускная способность считается одинаково для любой памяти — от модуля DDR5 в сервере до стека HBM4 в ускорителе: ширина шины в битах × скорость на контакт в Гбит/с ÷ 8 = ГБ/с. Для сервера результат умножают на число каналов памяти на процессор, для ускорителя — на число стеков или берут общую ширину шины.
| Память | Шина, бит | Гбит/с на контакт | Пропускная способность | Пример |
|---|---|---|---|---|
| DDR4-3200, 1 канал | 64 | 3,2 | 25,6 ГБ/с | 8 каналов Xeon Scalable 3-го пок. или EPYC 7003: 204,8 ГБ/с на процессор |
| DDR5-4800, 1 канал | 64 | 4,8 | 38,4 ГБ/с | 12 каналов EPYC 9004: 460,8 ГБ/с на процессор |
| DDR5-6400, 1 канал | 64 | 6,4 | 51,2 ГБ/с | 12 каналов Xeon 6900P: 614,4 ГБ/с на процессор |
| MRDIMM-8800, 1 канал | 64 | 8,8 | 70,4 ГБ/с | 12 каналов Xeon 6900P: 844,8 ГБ/с на процессор |
| GDDR6, NVIDIA L40S | 384 | 18 | 864 ГБ/с | 48 ГБ на карте |
| GDDR7, RTX PRO 6000 Server | 512 | около 25 | 1597 ГБ/с | 96 ГБ на карте |
| HBM2, A100 40 ГБ PCIe | 5120 (5 стеков) | около 2,4 | 1555 ГБ/с | 40 ГБ на карте |
| HBM3E, 1 стек | 1024 | до 9,6 | около 1,2 ТБ/с | NVIDIA B300: 8 стеков, 288 ГБ, 8 ТБ/с |
| HBM4, 1 стек по JEDEC | 2048 | 8 | 2 ТБ/с | минимум стандарта |
| HBM4 Samsung, 1 стек | 2048 | 11,7–13 | 3,0–3,3 ТБ/с | NVIDIA Rubin: 8 стеков, 288 ГБ |
| HBM4E Samsung, 1 стек | 2048 | 14–16 | 3,6 ТБ/с (заявлено) | 48 ГБ в 12-слойном стеке |
Расчёт по формуле; для GDDR7 и HBM2 скорость на контакт выведена из официальной пропускной способности. У DDR5 канал состоит из двух подканалов по 32 бита, вместе — те же 64 бита данных. Реальная пропускная способность на 10–30% ниже пиковой.
Хронология
Что это значит для покупателей в России
NVIDIA и AMD с 2022 года официально не поставляют продукцию в Россию, а ускорители на HBM3E и HBM4 — H200, B300, Rubin, MI355X, MI455X — уходят в основном крупным облачным компаниям в составе готовых серверов и стоек. Если производители ускорителей сами получают HBM по контрактам на год вперёд, ускорителей нового поколения для параллельного импорта в 2027 году будет ещё меньше, а цена на них — выше. Дорожать будет и обычная серверная память: мы уже писали, что, по прогнозу TeamGroup, пик дефицита DRAM придётся на период до 2-го квартала 2027 года, а производители говорили о дефиците до 2028 года.
Реалистичный путь для компании, которой в ближайший год нужен сервер для ИИ, — PCIe-ускорители на GDDR7 и GDDR6, ускорители прошлых поколений на HBM2 и серверная DDR5 большого объёма. Что есть у нас в наличии:
- NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition 96 ГБ GDDR7 — модели до 70 млрд параметров в FP8 на одной карте, пассивное охлаждение для стоечного сервера.
- NVIDIA L40S 48 ГБ GDDR6 — инференс моделей до 30 млрд параметров в FP8, генерация изображений, видеоаналитика.
- NVIDIA Tesla A100 40 ГБ HBM2 — память HBM2 на 1555 ГБ/с и вычисления двойной точности для обучения и научных расчётов.
- NVIDIA Tesla A30 24 ГБ HBM2 — экономичный инференс при 165 Вт, делится на четыре независимых экземпляра MIG.
- Micron 128 ГБ DDR5-6400 RDIMM — максимальный объём на слот: 3 ТБ в двухпроцессорном сервере с 12 каналами на процессор.
- Micron 64 ГБ DDR5-6400 RDIMM — чтобы занять все каналы памяти в серверах на Intel Xeon 6 и AMD EPYC 9005; модуль работает на частоте, которую поддерживает процессор.
Подберём ускоритель и память под вашу задачу
Напишите, какие модели собираетесь запускать и на каком сервере, — подберём ускорители и память из наличия и подготовим КП для юрлица с НДС.
Запросить КП на zakaz@comparema.ruВопросы и ответы
Что такое HBM4 и чем она отличается от HBM3E?
Почему HBM на 2027 год уже распродана?
Что такое долгосрочные контракты (LTA) на память?
Когда появится HBM4E?
Как посчитать пропускную способность памяти?
Какой ускоритель для ИИ можно купить сейчас?
