Samsung раскрыла детали о своём следующем поколении памяти HBM5, которая будет использовать 2‑нанометровый техпроцесс для базового кристалла. Это обеспечит более чем 50% прирост скорости обработки данных по сравнению с текущим поколением HBM4E. Компания уже начала массовое производство чипов по первому поколению 2‑нм технологии, что подтверждает её технологическое лидерство в гонке за наиболее производительную память для ИИ-ускорителей и высокопроизводительных вычислений.
Ключевые характеристики Samsung HBM5
Почему HBM5 на 2‑нм — прорыв для ИИ-инфраструктуры
Память HBM (High Bandwidth Memory) является критически важным компонентом для современных ИИ-ускорителей, таких как NVIDIA H100, AMD Instinct и собственные разработки Samsung. Увеличение пропускной способности памяти напрямую влияет на скорость обучения и инференса больших языковых моделей. Переход на 2‑нм техпроцесс позволяет не только повысить тактовую частоту, но и снизить энергопотребление на бит, что особенно важно для масштабируемых дата-центров.
Samsung заявляет, что HBM5 обеспечит более 50% прирост пропускной способности по сравнению с HBM4E, что позволит создавать ИИ-системы с беспрецедентной производительностью. Компания уже начала массовое производство, что даёт ей значительное преимущество перед конкурентами, которые только готовятся к переходу на 2‑нм.
| Характеристика | HBM4E (предыдущее) | HBM5 (новинка Samsung) |
|---|---|---|
| Техпроцесс базового кристалла | 5 нм | 2 нм |
| Макс. пропускная способность | ~1.2 ТБ/с (стек) | ~1.8 ТБ/с (стек) |
| Энергоэффективность | база | на 30% лучше |
| Объём стека | до 36 ГБ (12 слоёв) | до 48 ГБ (16 слоёв) |
| Статус | в производстве | массовое производство запущено |
Сравнение Samsung HBM5 с конкурентами
| Характеристика | Samsung HBM5 | SK Hynix HBM4E | Micron HBMnext |
|---|---|---|---|
| Техпроцесс | 2 нм | 5 нм | 5 нм |
| Пропускная способность (ТБ/с) | ~1.8 | ~1.2 | ~1.3 |
| Энергоэффективность (пВт/бит) | на 30% лучше | — | — |
| Макс. количество слоёв | 16 | 12 | 12 |
| Статус производства | Массовое | В разработке | В разработке |
Источник: пресс-релизы Samsung, SK Hynix, Micron по состоянию на июль 2026 года.
Что нового в HBM5 от Samsung
Samsung внедрила ряд инноваций в HBM5, которые делают её лидером на рынке памяти для ИИ:
- 2‑нм базовый кристалл — позволяет уменьшить задержки и повысить тактовую частоту, обеспечивая прирост скорости более 50%.
- Улучшенная архитектура стекирования — до 16 слоёв с общей ёмкостью 48 ГБ на стек, что вдвое больше, чем у HBM4E.
- Новый интерфейс — поддержка скорости до 9.6 Гбит/с на вывод, что обеспечивает суммарную пропускную способность ~1.8 ТБ/с.
- Энергоэффективность — снижение энергопотребления на 30% по сравнению с предыдущим поколением благодаря 2‑нм технологии.
- Готовность к ИИ-ускорителям нового поколения — HBM5 оптимизирована для работы с архитектурами GPU и NPU, которые появятся в 2027–2028 годах.
По словам представителей Samsung, HBM5 уже проходит квалификацию у ключевых заказчиков, включая NVIDIA и AMD, и первые поставки ожидаются в начале 2027 года.
Эволюция пропускной способности HBM
Источник: данные Samsung, отраслевые прогнозы. HBM5 демонстрирует скачок производительности благодаря 2‑нм техпроцессу.