
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
9 480 ₽
Форм фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
НетКоличество контактов
260Ширина, мм
69.6Высота, мм
30Ссылка на описание
httpsВот HTML-код с описанием памяти для ноутбука Samsung:
Память для ноутбука 16GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43DB1-CTD
Технические характеристики
- Серия продукции: M471
- Тип памяти: Unbuffered
- Форм-фактор: SODIMM
- Стандарт памяти: DDR4
- Объем одного модуля, ГБ: 16
- Количество модулей в комплекте, шт: 1
- Суммарный объем, ГБ: 16
- Эффективная частота, МГц: 2666
- Пропускная способность, Мб/с: 21300
- Поддержка ECC: Нет
- Низкопрофильная: Нет
- Количество чипов на модуле, шт: 16
- Количество контактов: 260
- CAS Latency (CL): 19
- RAS to CAS Delay (tRCD): 19
- Row Precharge Delay (tRP): 19
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
- Напряжение питания, В: 1.2
- Нормальная операционная температура, °C: 85
- Расширенная операционная температура, °C: 95
- Ширина, мм: 69.6
- Высота, мм: 30
- Вид поставки: OEM
- Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A2K43DB1-CTD/
Основные характеристики
Форм фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
M471
Вид поставки
OEM
Объем одного модуля, ГБ
16
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, Мб/с
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
16
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля, ГБ
16
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары