Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Код Товара:
R532G1601U1SL-U
Производитель:
AMD
EAN:
4897065182637
Закончился
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
649 ₽
Форм фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR3L
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
240
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
30
Поддержка ECC
Нет
Все характеристики
Память DDR3 2GB AMD Radeon DDR3L 1600 DIMM R5 Entertainment Series Black R532G1601U1SL-U - отличное решение для повышения производительности вашего компьютера. Эта память обеспечивает высокую пропускную способность до 12800 Мб/с, что позволяет быстро обрабатывать данные и запускать приложения.
Модуль памяти имеет артикул R532G1601U1SL-U и относится к серии Entertainment Series Black. Он поддерживает стандарт DDR3L и имеет ёмкость 2GB. Память работает на частоте 1600 МГц и имеет задержку CL11.
Модуль памяти DDR3 2GB AMD Radeon R532G1601U1SL-U подходит для использования в компьютерах и ноутбуках. Он не требует поддержки ECC и работает с напряжением 1.35V. Модуль поставляется в оригинальной упаковке RTL.
Покупая память DDR3 2GB AMD Radeon DDR3L 1600 DIMM R5 Entertainment Series Black R532G1601U1SL-U, вы получаете надежный и качественный продукт от известного бренда AMD. Улучшите производительность своего компьютера с помощью этой памяти и наслаждайтесь быстрой работой приложений и мультимедиа.

Основные характеристики

Форм фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR3L
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
240
Ширина, мм
133.35
Высота, мм
30
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R5 Entertainment
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
2
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
1600
Пропускная способность, Мб/с
12800
CAS Latency (CL)
11
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.35
Суммарный объем, ГБ
2
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
11
Объем одного модуля, ГБ
2
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
12800
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти для СХД DDR4 8GB D4EC-2666-8G SYNOLOGY
D4EC-2666-8G
В наличии
24 114 ₽
Модуль памяти для СХД DDR4 4GB D4NE-2666-4G SYNOLOGY
D4NE-2666-4G
В наличии
11 628 ₽
Модуль памяти ThinkSystem 32GB TruDDR4 2933MHz (2Rx4 1.2V) RDIMM
4ZC7A08709
В наличии
16 503 ₽
Модуль памяти HMA82GR7JJR8N-VKTF Hynix 16GB DDR4 2666 ECC REG OEM 200
HMA82GR7JJR8N-VKTF
В наличии
9 302 ₽
Память DDR4 KVR32N22S6/4 KVR32N22S6/4 (296075)
KVR32N22S6/4
В наличии
1 808 ₽
Модуль памяти 16GB PC25600 DDR4 KIT2 PVB416G320C6K PATRIOT
PVB416G320C6K
В наличии
4 780 ₽
Модуль памяти 16GB PC24000 DDR4 KIT2 PVB416G300C6K PATRIOT
PVB416G300C6K
В наличии
4 967 ₽
Вы смотрели
0
0