Оперативная память Samsung DDR4 32GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

Оперативная память Samsung DDR4 32GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

Samsung DDR4 32GB UNB SODIMM 2666 — это модуль оперативной памяти стандарта DDR4, предназначенный для использования в ноутбуках и компактных вычислительных системах. Модуль обеспечивает высокую скорость передачи данных и стабильную работу при низком энергопотреблении.

Технические характеристики

• Серия продукции: M471.
• Тип памяти: Unbuffered.
• Форм-фактор: SODIMM.
• Стандарт памяти: DDR4.
• Объем одного модуля, ГБ: 32.
• Количество модулей в комплекте, шт: 1.
• Суммарный объем, ГБ: 32.
• Эффективная частота, МГц: 2666.
• Пропускная способность, Мб/с: 21300.
• Поддержка ECC: Нет.
• Низкопрофильная: Нет.
• Количество чипов на модуле, шт: 16.
• Количество контактов: 260.
• CAS Latency (CL): 19.
• RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
• Row Precharge Delay (tRP): 19.
• Activate to Precharge Delay (tRAS): 40.
• Напряжение питания, В: 1.2.
• Нормальная операционная температура, °C: 85.
• Расширенная операционная температура, °C: 95.
• Ширина, мм: 69.6.
• Высота, мм: 30.
• Вид поставки: RTL.
• Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/.