Телеграм Чат
Артикул:
M386AAG40AM3 -CWEZY
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
78 780 ₽
Производитель
Samsung
Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип корпуса
Dual In-Line Memory Module (DIMM)
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Все характеристики

Оперативная память Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz 4Rx4 Registered ECC 1.2V (M386AAG40AM3-CWEZY)

Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz (M386AAG40AM3-CWEZY) — это высокоплотный модуль памяти для серверных платформ, обеспечивающий максимальный объём ОЗУ при ограниченном количестве слотов. Благодаря технологии LRDIMM (Load-Reduced DIMM) и архитектуре 4Rx4, он обеспечивает высокую масштабируемость и стабильность даже в самых требовательных ИТ-средах.

Модуль поддерживает ECC (Error-Correcting Code) и работает на частоте 3200 МГц при напряжении 1.2 В. Его архитектура снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, что позволяет устанавливать больше модулей на канал без потери стабильности — критически важное преимущество для высокопроизводительных серверов и систем виртуализации.

Ключевые особенности

  • Производитель: Samsung
  • Модель: M386AAG40AM3-CWEZY
  • Тип памяти: DDR4 LRDIMM
  • Объём: 128 ГБ
  • Частота: 3200 МГц
  • Пропускная способность: PC4-25600 (25.6 ГБ/с)
  • Архитектура: 4Rx4 (Quad Rank, x4)
  • Поддержка ECC: да (Registered ECC)
  • Напряжение: 1.2 В
  • Форм-фактор: DIMM (288 контактов)

Технические характеристики

Производительность и совместимость

  • Тип модуля: LRDIMM (Load-Reduced DIMM)
  • Ёмкость: 128 ГБ
  • Частота: 3200 МГц (DDR4-3200)
  • Пиковая пропускная способность: 25.6 ГБ/с
  • Тайминги: CL22-22-22 (типично для DDR4-3200 LRDIMM)
  • Совместимость: серверные платформы Intel Xeon Scalable (Cascade Lake, Ice Lake-SP), а также совместимые OEM-системы (Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem)

Архитектура и надёжность

  • Ранги: Quad Rank (4R)
  • Организация чипов: x4
  • LRDIMM-технология: использует буфер данных (Data Buffer) для снижения нагрузки на шину памяти
  • Registered ECC: коррекция ошибок памяти и стабилизация сигналов через регистр адреса/команд
  • Напряжение: 1.2 В (стандарт DDR4)
  • Поддержка TSOD: встроенный датчик температуры для мониторинга в реальном времени

Физические параметры

  • Форм-фактор: 288-pin DDR4 DIMM
  • Высота модуля: стандартная (~31.25 мм)
  • Охлаждение: пассивное
  • Сертификация: JEDEC DDR4, RoHS, совместимость с промышленными серверными стандартами

Преимущества Samsung DDR4 128GB LRDIMM (M386AAG40AM3-CWEZY)

  • Рекордная плотность памяти: 128 ГБ на один модуль — идеально для систем с ограниченным количеством слотов.
  • Технология LRDIMM: позволяет масштабировать память без деградации производительности при большом количестве модулей на канал.
  • 4Rx4 архитектура: оптимизирована для многопоточных серверных рабочих нагрузок и виртуализации.
  • ECC + Registered: обеспечивает максимальную надёжность и целостность данных в круглосуточных системах.
  • Энергоэффективность: стандартное напряжение 1.2 В снижает общее энергопотребление серверной стойки.
  • Качество Samsung: производство по передовым полупроводниковым нормам, строгий контроль качества и долгая служба.

Применение

Модуль Samsung M386AAG40AM3-CWEZY идеально подходит для:

  • Масштабируемых серверов: виртуализация (VMware, Hyper-V), контейнерные платформы (Kubernetes).
  • Центров обработки данных: облачные инфраструктуры, базы данных (Oracle, SAP HANA), аналитика больших данных.
  • Высокопроизводительных вычислений (HPC): научные расчёты, моделирование, финансовый анализ.
  • Систем критической важности: банковские транзакции, телекоммуникации, здравоохранение.
  • Enterprise-хранилищ: SAN/NAS с кэшированием большого объёма данных в ОЗУ.

Заключение

Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz 4Rx4 Registered ECC (M386AAG40AM3-CWEZY) — это решение для самых требовательных серверных конфигураций, где важны максимальная плотность памяти, стабильность и производительность. Благодаря технологии LRDIMM и архитектуре 4Rx4, модуль обеспечивает бесперебойную работу даже при экстремальных нагрузках. Выбирайте оригинальную память Samsung для надёжности, которую можно измерить в терабайтах данных и тысячах часов безотказной работы!

Основные характеристики

Производитель
Samsung
Форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип корпуса
Dual In-Line Memory Module (DIMM)
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Registered
Организация
4Rx4
Количество контактов
288
Рангность
4R
Версия профиля
JEDEC DDR4-3200
Коррекция ошибок
ECC
ЛАТЕНТНОСТЬ / ТАЙМИНГИ
22-22-22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Samsung 32Гб RDIMM DDR4 M393A4K40CB1-CRC4Q
M393A4K40CB1-CRC4Q
В наличии
7 350 ₽
Модуль памяти Samsung 32GB DDR4 LRDIMM M386A4K40BB0-CRC4Q
M386A4K40BB0-CRC4Q
В наличии
21 060 ₽
Модуль памяти Samsung 32GB RDIMM DDR4 M393A4K40BB1-CRC0Q
M393A4K40BB1-CRC0Q
В наличии
22 450 ₽
Модуль памяти Samsung 64GB LRDIMM DDR4 M386A8K40BM2-CTD7Q
M386A8K40BM2-CTD7Q
В наличии
29 990 ₽
Оперативная память Kingston DDR4 LRDIMM 64GB KTH-PL426LQ/64G
KTH-PL426LQ/64G
В наличии
41 460 ₽
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 RDIMM KTH-PL426/32G
KTH-PL426/32G
В наличии
21 550 ₽
Память Kingston DDR4 DIMM 32GB KTL-TS424/32G
KTL-TS424/32G
В наличии
24 570 ₽
Память Kingston DDR4 DIMM 16GB KTH-PL424S/16G
KTH-PL424S/16G
В наличии
11 430 ₽
Память Lenovo 16Gb DDR4 RDIMM7X77A01302
7X77A01302
В наличии
12 980 ₽
Модуль памяти Huawei 32GB RDIMM DDR4 06200241
06200241
В наличии
8 650 ₽
Модуль памяти Huawei 32GB RDIMM DDR4 06200214
06200214
В наличии
14 530 ₽
Оперативная память HPE 16GB (1x16GB) DDR4 RDIMM 838089-B21
838089-B21
В наличии
15 430 ₽
Память HPE DDR4 8Gb RDIMM 838079-B21
838079-B21
В наличии
2 780 ₽
Модуль памяти HPE 8GB RDIMM DDR4 815097-B21
815097-B21
В наличии
2 390 ₽
Память HPE DDR4 8Gb RDIMM 876181-B21
876181-B21
В наличии
8 650 ₽
Вы смотрели
0
0