Телеграм Чат
Артикул:
M386AAG40AM3 -CWEZY
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
В наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
88 880 ₽
Производитель
Samsung
форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип корпуса
Dual In-Line Memory Module (DIMM)
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Все характеристики

Оперативная память Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz 4Rx4 Registered ECC 1.2V (M386AAG40AM3-CWEZY)

Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz (M386AAG40AM3-CWEZY) — это высокоплотный модуль памяти для серверных платформ, обеспечивающий максимальный объём ОЗУ при ограниченном количестве слотов. Благодаря технологии LRDIMM (Load-Reduced DIMM) и архитектуре 4Rx4, он обеспечивает высокую масштабируемость и стабильность даже в самых требовательных ИТ-средах.

Модуль поддерживает ECC (Error-Correcting Code) и работает на частоте 3200 МГц при напряжении 1.2 В. Его архитектура снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, что позволяет устанавливать больше модулей на канал без потери стабильности — критически важное преимущество для высокопроизводительных серверов и систем виртуализации.

Ключевые особенности

  • Производитель: Samsung
  • Модель: M386AAG40AM3-CWEZY
  • Тип памяти: DDR4 LRDIMM
  • Объём: 128 ГБ
  • Частота: 3200 МГц
  • Пропускная способность: PC4-25600 (25.6 ГБ/с)
  • Архитектура: 4Rx4 (Quad Rank, x4)
  • Поддержка ECC: да (Registered ECC)
  • Напряжение: 1.2 В
  • Форм-фактор: DIMM (288 контактов)

Технические характеристики

Производительность и совместимость

  • Тип модуля: LRDIMM (Load-Reduced DIMM)
  • Ёмкость: 128 ГБ
  • Частота: 3200 МГц (DDR4-3200)
  • Пиковая пропускная способность: 25.6 ГБ/с
  • Тайминги: CL22-22-22 (типично для DDR4-3200 LRDIMM)
  • Совместимость: серверные платформы Intel Xeon Scalable (Cascade Lake, Ice Lake-SP), а также совместимые OEM-системы (Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem)

Архитектура и надёжность

  • Ранги: Quad Rank (4R)
  • Организация чипов: x4
  • LRDIMM-технология: использует буфер данных (Data Buffer) для снижения нагрузки на шину памяти
  • Registered ECC: коррекция ошибок памяти и стабилизация сигналов через регистр адреса/команд
  • Напряжение: 1.2 В (стандарт DDR4)
  • Поддержка TSOD: встроенный датчик температуры для мониторинга в реальном времени

Физические параметры

  • Форм-фактор: 288-pin DDR4 DIMM
  • Высота модуля: стандартная (~31.25 мм)
  • Охлаждение: пассивное
  • Сертификация: JEDEC DDR4, RoHS, совместимость с промышленными серверными стандартами

Преимущества Samsung DDR4 128GB LRDIMM (M386AAG40AM3-CWEZY)

  • Рекордная плотность памяти: 128 ГБ на один модуль — идеально для систем с ограниченным количеством слотов.
  • Технология LRDIMM: позволяет масштабировать память без деградации производительности при большом количестве модулей на канал.
  • 4Rx4 архитектура: оптимизирована для многопоточных серверных рабочих нагрузок и виртуализации.
  • ECC + Registered: обеспечивает максимальную надёжность и целостность данных в круглосуточных системах.
  • Энергоэффективность: стандартное напряжение 1.2 В снижает общее энергопотребление серверной стойки.
  • Качество Samsung: производство по передовым полупроводниковым нормам, строгий контроль качества и долгая служба.

Применение

Модуль Samsung M386AAG40AM3-CWEZY идеально подходит для:

  • Масштабируемых серверов: виртуализация (VMware, Hyper-V), контейнерные платформы (Kubernetes).
  • Центров обработки данных: облачные инфраструктуры, базы данных (Oracle, SAP HANA), аналитика больших данных.
  • Высокопроизводительных вычислений (HPC): научные расчёты, моделирование, финансовый анализ.
  • Систем критической важности: банковские транзакции, телекоммуникации, здравоохранение.
  • Enterprise-хранилищ: SAN/NAS с кэшированием большого объёма данных в ОЗУ.

Заключение

Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 MHz 4Rx4 Registered ECC (M386AAG40AM3-CWEZY) — это решение для самых требовательных серверных конфигураций, где важны максимальная плотность памяти, стабильность и производительность. Благодаря технологии LRDIMM и архитектуре 4Rx4, модуль обеспечивает бесперебойную работу даже при экстремальных нагрузках. Выбирайте оригинальную память Samsung для надёжности, которую можно измерить в терабайтах данных и тысячах часов безотказной работы!

Основные характеристики

Производитель
Samsung
форм-фактор
LRDIMM
Тип памяти
DDR4
Температура эксплуатации
0 °C ~ 85 °C
Тип корпуса
Dual In-Line Memory Module (DIMM)
Напряжение питания
1.2 В
Объем
128 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Буферизация
Registered
Организация
4Rx4
Количество контактов
288
Рангность
4R
Версия профиля
JEDEC DDR4-3200
Коррекция ошибок
ECC
Латентность (тайминги)
22-22-22
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Оперативная память Micron 32GB DDR5 RDIMM MTC20F2085S1RC48BA1
MTC20F2085S1RC48BA1
В наличии
24 480 ₽
Оперативная память HP 32GB DDR4 UDIMM 809083-091
809083-091
В наличии
18 350 ₽
Память Samsung 96GB DDR5 M321RYGA0PB2-CCPKF
M321RYGA0PB2-CCPKF
В наличии
202 000 ₽
Память Hynix DDR5 128GB RDIMM HMCT04AEERA132N
HMCT04AEERA132N
В наличии
99 790 ₽
Серверная оперативная память Hynix 32GB RDIMM DDR5 HMCG84AHBRA289N
HMCG84AHBRA289N
В наличии
56 560 ₽
Память Samsung DDR4 64GB RDIMM M393A8G40CB4-CWE ОЕМ
M393A8G40CB4-CWE
В наличии
56 560 ₽
Память Samsung 32G DDR5 RDIMM M321R4GA0PB2-CCPKF
M321R4GA0PB2-CCPKF
В наличии
56 560 ₽
Память Samsung DDR4 128GB M386AAG40MMB-CVF
M386AAG40MMB-CVF
В наличии
78 780 ₽
Память Samsung DDR4 64GB LRDIMM M386A8K40DM2-CWELY
M386A8K40DM2-CWELY
В наличии
47 340 ₽
Память Samsung DDR4 64GB RDIMM M393A8G40MB2-CVF
M393A8G40MB2-CVF
В наличии
38 380 ₽
Память Hynix 64Gb DDR5 RDIMM HMCG94AGBRA632N
HMCG94AGBRA632N
В наличии
98 980 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 128GB RDIMM M321RAJA0MB2-CCP OEM
M321RAJA0MB2-CCP
В наличии
337 370 ₽
Оперативная память Samsung DDR5 64GB RDIMM M321R8GA0EB0-CWM OEM
M321R8GA0EB0-CWM
В наличии
114 300 ₽
Оперативная память Kingston Server Premier 64GB DDR5 DIMM KSM56R46BD4-64HA
KSM56R46BD4-64HA
В наличии
118 510 ₽
Вы смотрели
0
0