
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
17 160 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
НетКоличество контактов
260Ширина, мм
69.6Высота (мм)
30Ссылка на описание
httpsОперативная память Kingston 32GB 3200MHz DDR4 CL20 SODIMM HyperX Impact
Kingston HyperX Impact 32GB 3200MHz DDR4 CL20 SODIMM — это высокопроизводительный модуль оперативной памяти, разработанный для ноутбуков и компактных систем. Модуль обеспечивает скорость передачи данных до 3200 МГц и поддерживает низкие тайминги, что делает его идеальным решением для требовательных задач.
Технические характеристики
- Серия продукции: HyperX Impact.
- Тип памяти: Unbuffered.
- Форм-фактор: SODIMM.
- Стандарт памяти: DDR4.
- Объем одного модуля, ГБ: 32.
- Количество модулей в комплекте, шт: 1.
- Суммарный объем, ГБ: 32.
- Эффективная частота, МГц: 3200.
- Пропускная способность, Мб/с: 25600.
- Поддержка ECC: Нет.
- Низкопрофильная: Нет.
- Количество чипов на модуле, шт: 16.
- Количество контактов: 260.
- CAS Latency (CL): 20.
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22.
- Row Precharge Delay (tRP): 22.
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 46.
- Напряжение питания, В: 1.2.
- Нормальная операционная температура, °C: 85.
- Расширенная операционная температура, °C: 95.
- Ширина, мм: 69.6.
- Высота, мм: 30.
- Вид поставки: RTL.
Функциональные возможности
- Высокая производительность: Эффективная частота 3200 МГц и пропускная способность 25600 Мб/с.
- Оптимизированные тайминги: CL20, tRCD 22, tRP 22, tRAS 46.
- Надежность: Работа при температуре до 95°C.
- Энергоэффективность: Напряжение питания 1.2 В.
Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
3200
Пропускная способность, Мб/с
25600
CAS Latency (CL)
20
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
46
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
20
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели
Батарейный блок Battery cabinet Сайбер Электро ВББ192В75А для моделей ЭКСПЕРТ-6000Р/ЭКСПЕРТ-10000Р (12V / 9Ah х 16)
ВББ192В75А
В наличии
101 240 ₽