Телеграм Чат
Артикул:
HX432S20IB/32
Производитель:
KINGSTON
EAN:
740617304558
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
17 160 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Все характеристики

Оперативная память Kingston 32GB 3200MHz DDR4 CL20 SODIMM HyperX Impact

Kingston HyperX Impact 32GB 3200MHz DDR4 CL20 SODIMM — это высокопроизводительный модуль оперативной памяти, разработанный для ноутбуков и компактных систем. Модуль обеспечивает скорость передачи данных до 3200 МГц и поддерживает низкие тайминги, что делает его идеальным решением для требовательных задач.

Технические характеристики

  • Серия продукции: HyperX Impact.
  • Тип памяти: Unbuffered.
  • Форм-фактор: SODIMM.
  • Стандарт памяти: DDR4.
  • Объем одного модуля, ГБ: 32.
  • Количество модулей в комплекте, шт: 1.
  • Суммарный объем, ГБ: 32.
  • Эффективная частота, МГц: 3200.
  • Пропускная способность, Мб/с: 25600.
  • Поддержка ECC: Нет.
  • Низкопрофильная: Нет.
  • Количество чипов на модуле, шт: 16.
  • Количество контактов: 260.
  • CAS Latency (CL): 20.
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 22.
  • Row Precharge Delay (tRP): 22.
  • Activate to Precharge Delay (tRAS): 46.
  • Напряжение питания, В: 1.2.
  • Нормальная операционная температура, °C: 85.
  • Расширенная операционная температура, °C: 95.
  • Ширина, мм: 69.6.
  • Высота, мм: 30.
  • Вид поставки: RTL.

Функциональные возможности

  • Высокая производительность: Эффективная частота 3200 МГц и пропускная способность 25600 Мб/с.
  • Оптимизированные тайминги: CL20, tRCD 22, tRP 22, tRAS 46.
  • Надежность: Работа при температуре до 95°C.
  • Энергоэффективность: Напряжение питания 1.2 В.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
46
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
20
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти 32GB AMD Radeon R7 Performance DDR4 DIMM R7432G2606U2S-U
R7432G2606U2S-U
В наличии
18 060 ₽
Модуль памяти DDR4 G.Skill RIPJAWS V 64GB (2x32GB kit) F4-3200C16D-64GVK
F4-3200C16D-64GVK
В наличии
50 370 ₽
Модуль памяти Dell 16GB DDR4 UDIMM (1x16GB) 370-AFUO
370-AFUO
В наличии
1 710 ₽
Оперативная память 16GB AMD R9 Gamer DIMM DDR4 R9416G3206U2S-U
R9416G3206U2S-U
В наличии
9 900 ₽
Оперативная память 32GB AMD Radeon R7 Performance R7S432G2606U2S
R7S432G2606U2S
В наличии
17 730 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM 8GB UNB 3200, 1.2V
M378A1G44AB0-CWE
В наличии
6 250 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM 4GB UNB 3200, 1.2V
M378A5244CB0-CWE
В наличии
3 560 ₽
0
0