Телеграм Чат
Артикул:
NT32GA72D4NBX3P-IX
Производитель:
GOODRAM
EAN:
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
13 090 ₽
Дополнительная информация
undefined
Цвет
-
Производитель
NANYA
Форм-фактор
DIMM
Вес устройства (г)
10
Тип памяти
DDR-4
Part number
NT32GA72D4NBX3P-IX
Артикул
NT32GA72D4NBX3P-IX
Все характеристики
Вот HTML-код с описанием оперативной памяти для серверов на основе предоставленного шаблона:

Оперативная память для серверов 32GB NANYA ECC Reg NT32GA72D4NBX3P-IX DDR4, 2933 MHz, 23400 Мб/с, CL21, 1.2 В, 2Rx4 (DIMM)

Технические характеристики

  • Производитель: NANYA
  • Тип памяти: DDR-4
  • Объем одного модуля: 32768 МБ
  • Тактовая частота: 2933 МГЦ
  • Пропускная способность: 23400 МБ/С
  • CAS Latency (CL): 21
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 21
  • Row Precharge Delay (tRP): 21
  • Напряжение питания: 1.2 В
  • Форм-фактор: DIMM
  • ECC: Да
  • Registered: Да
  • Конфигурация чипов: 2Rx4
  • Гарантия: 10 ЛЕТ
  • Страна производитель: КИТАЙ
  • Вес устройства: 10 г
  • Размер упаковки: 18.1 x 6.3 x 1.4 см
  • Количество модулей в комплекте: 1
Код содержит только описание и технические характеристики оперативной памяти в соответствии с предоставленными данными, без дополнительных объяснений.

Основные характеристики

Дополнительная информация
undefined
Цвет
-
Производитель
NANYA
Форм-фактор
DIMM
Вес устройства (г)
10
Тип памяти
DDR-4
Part number
NT32GA72D4NBX3P-IX
Артикул
NT32GA72D4NBX3P-IX
Система охлаждения
НЕТ
Вид номенклатуры
МОДУЛИ ПАМЯТИ
Единица хранения
ШТ
Напряжение питания
1.2 В
Наименование для печати
Оперативная память для серверов 32GB NANYA ECC Reg NT32GA72D4NBX3P-IX DDR4, 2933 MHz, 23400 Мб/с, CL21, 1.2 В, 2Rx4 (DIMM)
Текстовое описание
Память 32GB NANYA ECC Reg NT32GA72D4NBX3P-IX DDR4, 2933 MHz, 23400 Мб/с, CL21, 1.2 В, 2Rx4 (DIMM)
Тактовая частота
2933 МГЦ
Размер упаковки (см)
18.1 x 6.3 x 1.4 см
Пропускная способность
23400 МБ/С
Страна производитель
КИТАЙ
Гарантия?
10 ЛЕТ
Количество модулей в комплекте
1
Линейка
undefined
RAS to CAS Delay (tRCD)
21
Row Precharge Delay (tRP)
21
Activate to Precharge Delay (tRAS)
undefined
Объем одного модуля
32768 МБ
CAS Latency (CL)
21
Низкопрофильная (Low Profile)
НЕТ
Объём памяти
32768 МБ
Вес упаковки (брутто) (г)
35
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Вы смотрели
0
0