Оперативная память 8Gb Samsung M323R1GB4PB0-CWM

Оперативная память 8Gb Samsung M323R1GB4PB0-CWM

Оперативная память Samsung M323R1GB4PB0-CWM — это высококачественный модуль памяти объемом 8 Гб, разработанный для использования в серверных системах и рабочих станциях. Этот модуль обеспечивает стабильную и высокоскоростную работу, что делает его идеальным выбором для задач, требующих высокой производительности и надежности.

Основные характеристики:

• Тип памяти: DDR4
• Объем: 8 Гб
• Частота: 2666 МГц
• Напряжение: 1.2 В
• Форм-фактор: RDIMM (Registered DIMM)
• Пропускная способность: 21300 МБ/с
• Тайминги: CL19
• Назначение: Серверные системы и рабочие станции

Преимущества:

• Высокая производительность: Модуль памяти обеспечивает высокую скорость передачи данных, что позволяет эффективно обрабатывать большие объемы информации.
• Надежность: Использование технологии ECC (Error-Correcting Code) обеспечивает коррекцию ошибок и повышает стабильность работы системы.
• Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.2 В) снижает энергопотребление, что особенно важно для серверных решений.
• Совместимость: Модуль совместим с большинством современных серверных платформ, что делает его универсальным решением для различных задач.

Применение:

Оперативная память Samsung M323R1GB4PB0-CWM идеально подходит для использования в серверных системах, где требуется высокая производительность и надежность. Она также может быть использована в рабочих станциях для выполнения ресурсоемких задач, таких как обработка больших данных, виртуализация и работа с графическими приложениями.

Заключение:

Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM — это надежное и производительное решение для современных серверных систем и рабочих станций. Благодаря высокой скорости работы, низкому энергопотреблению и поддержке технологии ECC, этот модуль обеспечивает стабильную и эффективную работу даже в самых требовательных условиях.