Телеграм Чат
Артикул:
M471A1K43EB1-CWED0
Производитель:
SAMSUNG
EAN:
2770021774041
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
3 800 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Все характеристики

Оперативная память 8GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A1K43EB1-CWE

Оперативная память Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A1K43EB1-CWE — это высококачественный модуль памяти, предназначенный для использования в ноутбуках и компактных системах. Этот модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для современных вычислительных задач.

Основные характеристики:

  • Объем памяти: 8 ГБ
  • Тип памяти: DDR4
  • Частота: 3200 МГц
  • Форм-фактор: SO DIMM
  • Напряжение: 1.2 В
  • Тайминги: CL22
  • Тип поставки: Bulk (без упаковки)
  • Поддержка ECC: Нет (Non-ECC)

Преимущества:

  • Высокая производительность: Частота 3200 МГц обеспечивает быструю обработку данных, что особенно важно для ресурсоемких приложений.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение 1.2 В способствует снижению энергопотребления и тепловыделения.
  • Надежность: Продукция Samsung известна своим высоким качеством и долговечностью.
  • Компактность: Форм-фактор SO DIMM позволяет использовать память в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК.

Применение:

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A1K43EB1-CWE подходит для использования в ноутбуках, ультрабуках, компактных настольных компьютерах и других устройствах, где требуется высокая производительность и компактные размеры. Он идеально подходит для задач, требующих высокой скорости обработки данных, таких как видеомонтаж, 3D-моделирование, игры и многозадачность.

Комплектация:

Модуль памяти поставляется в формате Bulk, что означает отсутствие дополнительной упаковки. Это оптимальный выбор для тех, кто приобретает память для сборки или апгрейда системы.

Заключение:

Оперативная память Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A1K43EB1-CWE — это надежное и производительное решение для современных вычислительных систем. Благодаря высокой частоте, низкому энергопотреблению и компактным размерам, этот модуль станет отличным выбором для повышения производительности вашего устройства.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Эффективная частота, МГц
3200
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
46
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти DIMM 8GB PC12800 DDR3 KVR16N11/8WP KINGSTON
KVR16N11/8WP
В наличии
2 690 ₽
Модуль памяти DIMM 4GB PC12800 DDR3L KVR16LN11/4WP KINGSTON
KVR16LN11/4WP
В наличии
2 070 ₽
Модуль памяти DIMM 4GB PC12800 DDR3 KVR16N11S8/4WP KINGSTON
KVR16N11S8/4WP
В наличии
2 130 ₽
Оперативная память Foxline DIMM 8GB 3200 DDR4 CL 22 (1Gb*8)
FL3200D4U22-8G
В наличии
4 370 ₽
Модуль памяти DIMM 8GB PC25600 DDR4 CT8G4DFRA32A CRUCIAL
CT8G4DFRA32A
В наличии
4 820 ₽
Модуль памяти DDR4 Netac Basic 8GB 2666MHz CL19 1.2V / NTBSD4P26SP-08
NTBSD4P26SP-08
В наличии
4 130 ₽
Модуль памяти DDR4 Netac Basic 8GB 3200MHz CL16 1.35V / NTBSD4P32SP-08
NTBSD4P32SP-08
В наличии
4 750 ₽
Модуль памяти DDR4 Netac Basic 16GB 2666MHz CL19 1.2V / NTBSD4P26SP-16
NTBSD4P26SP-16
В наличии
8 760 ₽
Вы смотрели
0
0