Код Товара:
B14AS4G32619R#AПроизводитель:
BIWIN
Закончился
909 ₽
Дополнительная информация
undefinedЦвет
-Производитель
BIWINTECHФорм-фактор
SO-DIMMВес устройства (г)
8Тип памяти
DDR-4Part number
B14AS4G32619R#AАртикул
B14AS4G32619R#AОсновные характеристики
Дополнительная информация
undefined
Цвет
-
Производитель
BIWINTECH
Форм-фактор
SO-DIMM
Вес устройства (г)
8
Тип памяти
DDR-4
Part number
B14AS4G32619R#A
Артикул
B14AS4G32619R#A
Артикул
B14AS4G32619R#A
Система охлаждения
НЕТ
Вид номенклатуры
МОДУЛИ ПАМЯТИ
Единица хранения
ШТ
Напряжение питания
1.2 В
Наименование для печати
Оперативная память 4GB BiwinTech B14AS4G32619R#A DDR4, 2666 MHz, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В, 1R*8 (SO-DIMM)
Текстовое описание
Модуль памяти 4GB BiwinTech B14AS4G32619R#A DDR4, 2666 MHz, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В, 1R*8 (SO-DIMM)
Тактовая частота
2666 МГЦ
Производитель
BIWINTECH
Размер упаковки (см)
16.5 х 6.9 х 2 см
Пропускная способность
21300 МБ/С
Страна производитель
КИТАЙ
гарантия
3 ГОДА
Цвет
-
гарантия
3 ГОДА
Количество модулей в комплекте
1
CAS Latency (CL)
19
Линейка
undefined
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
43
Объем одного модуля
4096 МБ
Тип памяти
DDR-4
Тип памяти
DDR-4
CAS Latency (CL)
19
Низкопрофильная (Low Profile)
НЕТ
Объем одного модуля
4096 МБ
Объём памяти
4096 МБ
Тактовая частота
2666 МГЦ
Вес упаковки (брутто) (г)
25
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели