Код Товара:
THNSN81Q92CSE4PDE3Производитель:
Toshiba
Закончился
26 755 ₽
Форм-фактор
2.5"Тип памяти
NAND MLCТип интерфейса
SATAОсобенности
Накопитель dSSD (с высокой плотностью записи) корпоративного уровня. Защита данных End-to-End. Поддержка режимов команд 28-bit и 48-bit LBA. Поддержка NCQ (Native Command Queuing). Автоматические повторное чтение и коррекция ошибок чтения.Ширина, мм
69.85Высота, мм
7Глубина, мм
100.45Ссылка на описание
httpsОсновные характеристики
Форм-фактор
2.5"
Тип памяти
NAND MLC
Тип интерфейса
SATA
Особенности
Накопитель dSSD (с высокой плотностью записи) корпоративного уровня. Защита данных End-to-End. Поддержка режимов команд 28-bit и 48-bit LBA. Поддержка NCQ (Native Command Queuing). Автоматические повторное чтение и коррекция ошибок чтения.
Ширина, мм
69.85
Высота, мм
7
Глубина, мм
100.45
Ссылка на описание
https
Комплект поставки
Инструкция пользователя
Вид устройства
Внутренний твердотельный накопитель
Версия SATA
SATA 6 Гб/с
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)
Да
Номинальный объем, ГБ
1920
Объем после форматирования, GiB
1838
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с
600
Максимальная скорость чтения, МБ/с
524
Максимальная скорость записи, МБ/с
503
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
75
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
14
Среднее время наработки на отказ (MTBF), Тыс час
2000
Ударостойкость, при работе, G
1000
Ударостойкость, при хранении, G
1000
Энергопотребление при работе, Вт
4.5
Тип комплектации
RTL
Серия продукции
HK4R
Среднее время наработки на отказ (MTBF), Тыс час
2000
Ударостойкость, при работе, G
1000
Ударостойкость, при хранении, G
1000
Среднее время наработки на отказ (MTBF), Тыс час
2000
Ударостойкость, при работе, G
1000
Ударостойкость, при хранении, G
1000
Тип памяти
NAND MLC
Тип памяти
NAND MLC
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели