
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
10 090 ₽
Форм-фактор
M.2 (2280)Гарантия
ДаТип упаковки
РозничнаяСредняя наработка на отказ
2000000 чГарантия
ДаГарантийный срок
36 мес.Критерий оценки гарантии
Серийный номерВес товара с упаковкой (брутто)
0.05 кгНакопитель Micron 2200 512GB M.2 NVMe Non SED Client Solid State Drive
Технические характеристики
- Размещение устройства: Плата расширения
- Форм-фактор: M.2 (2280)
- Емкость накопителя: 512 ГБ
- Поддерживаемые каналы данных: PCIe NVMe 3.0 x4
- Технология памяти: NAND флеш
- Флэш-технология ячейки памяти: TLC
- Максимальная скорость случайного чтения: 240000 IOPS
- Максимальная скорость случайной записи: 210000 IOPS
- Максимальная скорость последовательного чтения: 3000 МБ/сек
- Максимальная скорость последовательной записи: 1600 МБ/сек
- Суммарное число записываемых байтов (TBW): 150 ТБ
- Количество интерфейсов M.2: 1
- Средняя наработка на отказ: 2000000 ч
- Функциональные особенности SSD: S.M.A.R.T., AES 256-bit Encryption
- Номинальное напряжение питания: 3.3 В
- Гарантия: Да (36 мес.)
- Критерий оценки гарантии: Серийный номер
- Вес: 0.05 кг
- Штук в упаковке: 1
- Тип упаковки: Розничная
- EAN Код: 649528820983
Основные характеристики
Форм-фактор
M.2 (2280)
Гарантия
Да
Тип упаковки
Розничная
Средняя наработка на отказ
2000000 ч
Гарантия
Да
Гарантийный срок
36 мес.
Критерий оценки гарантии
Серийный номер
Вес товара с упаковкой (брутто)
0.05 кг
Вес товара без упаковки (нетто)
0.05 кг
Штук в упаковке
1
Вес коробки брутто
0.05 кг
Вес нетто картонной упаковки
0.05 кг
Вес нетто пластиковой упаковки
0.05 кг
Упаковок в коробке
1
Тип упаковки
Розничная
EAN код
649528820983
Количество интерфейсов M.2
1
Размещение устройства
Плата Расширения
Поддерживаемые каналы данных
PCIe NVMe 3.0 x4
Максимальная скорость случайного чтения
240000 IOPS
Максимальная скорость случайной записи
210000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
150 ТБ
Флэш-технология ячейки памяти
TLC
Функциональные особенности SSD
S.M.A.R.T. AES 256-bit Encryption
Размещение устройства
Плата Расширения
Технология памяти
NAND флеш
Емкость накопителя
512 ГБ
Номинальное напряжение питания
3.3 В
Максимальная скорость последовательного чтения
3000 МБ/сек.
Максимальная скорость последовательной записи
1600 МБ/сек.
Вес товара
0.05 кг
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Вы смотрели