В наличии
13 421 ₽
Тип памяти
DDR3LРадиатор
НетНапряжение питания
1.35ВПропускная способность
12800МБ/cНизкопрофильная
НетПоддержка ECC
НетКоличество модулей в комплекте
1штCAS Latency (CL)
11Модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600 предназначен для расширения оперативной памяти систем хранения QNAP. Он обеспечивает более быструю и эффективную работу устройства, позволяя обрабатывать большие объемы данных и выполнять сложные задачи.
Модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600 имеет артикул RAM-2GDR3L-SO-1600 и относится к категории "Опции к системам хранения". Он совместим с различными моделями систем хранения QNAP и обеспечивает стабильную работу при нормальной операционной температуре до 85°C.
Приобретая модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600, вы получаете надежное и качественное решение для расширения оперативной памяти вашего устройства. Увеличение объема памяти позволит улучшить производительность системы и обеспечить более быструю обработку данных.
Закажите модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600 прямо сейчас и наслаждайтесь улучшенной производительностью вашей системы хранения QNAP. Мы гарантируем качество и быструю доставку.
Модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600 имеет артикул RAM-2GDR3L-SO-1600 и относится к категории "Опции к системам хранения". Он совместим с различными моделями систем хранения QNAP и обеспечивает стабильную работу при нормальной операционной температуре до 85°C.
Приобретая модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600, вы получаете надежное и качественное решение для расширения оперативной памяти вашего устройства. Увеличение объема памяти позволит улучшить производительность системы и обеспечить более быструю обработку данных.
Закажите модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600 прямо сейчас и наслаждайтесь улучшенной производительностью вашей системы хранения QNAP. Мы гарантируем качество и быструю доставку.
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3L
Радиатор
Нет
Напряжение питания
1.35В
Пропускная способность
12800МБ/c
Низкопрофильная
Нет
Поддержка ECC
Нет
Количество модулей в комплекте
1шт
CAS Latency (CL)
11
Эффективная частота
1600МГц
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Форм-фактор памяти
SODIMM
Форм-фактор памяти
SODIMM
Тип памяти
DDR3L
Тип памяти
DDR3L
CAS Latency (CL)
11
Количество чипов на модуле
8шт
Расширенная операционная температура (Tcase)
95º
Компоновка чипов на модуле
Односторонняя
Суммарный объем комплекта
2ГБ
Буферизованная (регистровая)
Нет
Количество контактов памяти
204
Нормальная операционная температура
85º
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары