Нет в наличии
31 790 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260Ширина, мм
69.6Высота, мм
30Ссылка на описание
httpsМодуль памяти HX429S17IBK2/64 HyperX Impact
Модуль памяти HX429S17IBK2/64 от HyperX — это высокопроизводительная оперативная память формата SODIMM, разработанная для использования в ноутбуках и компактных системах. Модуль поддерживает стандарт DDR4 и обеспечивает эффективную частоту работы 2993 МГц.
Технические характеристики
- Серия продукции: HyperX Impact.
- Тип памяти: Unbuffered.
- Форм-фактор: SODIMM.
- Стандарт памяти: DDR4.
- Объем одного модуля, ГБ: 32.
- Количество модулей в комплекте, шт: 2.
- Суммарный объем, ГБ: 64.
- Эффективная частота, МГц: 2993.
- Пропускная способность, Мб/с: 23400.
- Поддержка ECC: Нет.
- Низкопрофильная: Нет.
- Количество чипов на модуле, шт: 16.
- Количество контактов: 260.
- CAS Latency (CL): 17.
- RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
- Row Precharge Delay (tRP): 19.
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 40.
- Напряжение питания, В: 1.2.
- Нормальная операционная температура, °C: 85.
- Расширенная операционная температура, °C: 95.
- Ширина, мм: 69.6.
- Высота, мм: 30.
- Вид поставки: RTL.
- Ссылка на описание: https://www.kingston.com/dataSheets/HX429S17IBK2_64.pdf.
Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Эффективная частота, МГц
2993
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
64
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
17
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
2
Пропускная способность, Мб/с
23400
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
