Телеграм Чат
Артикул:
HX429S17IBK2/64
Производитель:
KINGSTON
EAN:
740617304480
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
31 790 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Все характеристики

Модуль памяти HX429S17IBK2/64 HyperX Impact

Модуль памяти HX429S17IBK2/64 от HyperX — это высокопроизводительная оперативная память формата SODIMM, разработанная для использования в ноутбуках и компактных системах. Модуль поддерживает стандарт DDR4 и обеспечивает эффективную частоту работы 2993 МГц.

Технические характеристики

  • Серия продукции: HyperX Impact.
  • Тип памяти: Unbuffered.
  • Форм-фактор: SODIMM.
  • Стандарт памяти: DDR4.
  • Объем одного модуля, ГБ: 32.
  • Количество модулей в комплекте, шт: 2.
  • Суммарный объем, ГБ: 64.
  • Эффективная частота, МГц: 2993.
  • Пропускная способность, Мб/с: 23400.
  • Поддержка ECC: Нет.
  • Низкопрофильная: Нет.
  • Количество чипов на модуле, шт: 16.
  • Количество контактов: 260.
  • CAS Latency (CL): 17.
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
  • Row Precharge Delay (tRP): 19.
  • Activate to Precharge Delay (tRAS): 40.
  • Напряжение питания, В: 1.2.
  • Нормальная операционная температура, °C: 85.
  • Расширенная операционная температура, °C: 95.
  • Ширина, мм: 69.6.
  • Высота, мм: 30.
  • Вид поставки: RTL.
  • Ссылка на описание: https://www.kingston.com/dataSheets/HX429S17IBK2_64.pdf.

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота, мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Эффективная частота, МГц
2993
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
64
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
CAS Latency (CL)
17
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
2
Пропускная способность, Мб/с
23400
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти 8GB AMD Radeon R5 Entertainment R538G1601U2S-UO
R538G1601U2S-UO
В наличии
2 240 ₽
Оперативная память 16GB AMD R9 Gamer DIMM DDR4 R9416G3206U2S-U
R9416G3206U2S-U
В наличии
11 260 ₽
Оперативная память 32GB AMD Radeon R7 Performance R7S432G2606U2S
R7S432G2606U2S
В наличии
17 730 ₽
Оперативная память 16GB AMD Radeon R9 Gamer R9416G3206U2S-UO
R9416G3206U2S-UO
В наличии
11 240 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM 8GB UNB 3200, 1.2V
M378A1G44AB0-CWE
В наличии
6 610 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM 4GB UNB 3200, 1.2V
M378A5244CB0-CWE
В наличии
3 550 ₽
Вы смотрели
0
0