![Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632766) Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632766)](https://comparema.ru/image/cache/catalog/products/0340791-500x400.jpg)
Нет в наличии
2 700 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Стандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
НетКоличество контактов
260Ширина,мм
69.6Высота,мм
30Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина,мм
69.6
Высота,мм
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
4
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары