Whatsapp Чат
Телеграм Чат
Артикул:
MN4GSD42666
Производитель:
PNY
EAN:
751492632766
Нет в наличии
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
2 700 ₽
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Все характеристики

Основные характеристики

Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
4
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, Мб/с
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
4
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля, ГБ
4
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
21300
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Вы смотрели

Продолжая использовать наш сайт, Вы соглашаетесь на обработку файлов cookie, которые включают в себя: сведения о местоположении; тип, язык и версию операционной системы и браузера; сведения об используемом устройстве. Данные обрабатываются для предоставления наших услуг и улучшения качества работы нашего веб-сайта и сервисов. Для обработки также используется Яндекс Метрика и Google Analytics.

0
0
Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632766)
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
+7 (495) 789-49-93
0
0
0