![Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 DIMM [MD4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 DIMM [MD4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL](https://comparema.ru/image/cache/catalog/products/0340833-500x400.jpg)
Нет в наличии
2 080 ₽
Форм-фактор
DIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
1Стандарт памяти
DDR4Низкопрофильная
НетКоличество контактов
288Ширина,мм
133.35Высота,мм
31.25Основные характеристики
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
1
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Ширина,мм
133.35
Высота,мм
31.25
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность (МБ/с)
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
4
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля (ГБ)
4
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары