20 июля 2026 года Samsung Electronics и SK Hynix объявили об ускорении коммерциализации нового класса памяти на базе CXL (Compute Express Link) — стандарта, который соединяет процессоры и память через общий интерфейс PCIe, предлагая значительно большую ёмкость во время живых вычислений. Ранее в ИИ-серверах HBM работала рядом с GPU, а стандартная DRAM — с CPU, и ни та, ни другая не масштабировались независимо. CXL снимает эту зависимость, позволяя получать доступ к большим пулам памяти без покупки дополнительных процессоров.
SK Hynix продемонстрировала второе поколение 256‑ГБ образца CMM‑DDR5 на базе CXL 3.2. Samsung нацелена на производство своего модуля CMM‑D к концу 2026 года (хотя возможен сдвиг на 2027 год из‑за задержек платформ Intel и AMD). В тестах 9 июля Samsung показала, что пул CXL-памяти объёмом 1 ТБ достиг примерно 92% производительности DRAM при инференсе на восьми GPU, храня при этом более крупные кэши. SK Hynix в своих исследованиях зафиксировала прирост пропускной способности до 35,7% при использовании CXL как общего терабайтного уровня для инференса.
Эти шаги укрепляют позиции Samsung и SK Hynix как лидеров в сегменте интеллектуальных систем памяти для ИИ.
Ключевые цифры и события (июль 2026)
Почему Samsung и SK Hynix делают ставку на CXL
Разрыв между вычислительными возможностями ИИ и пропускной способностью памяти стремительно растёт. Производительность GPU удваивается каждые два года (грядущая архитектура NVIDIA Rubin обещает более 4000 TFLOPS FP8), но пропускная способность памяти не поспевает за этим — инженеры называют это «стеной памяти» (memory wall). HBM (High‑Bandwidth Memory) частично решает проблему, но её ёмкость ограничена, а масштабирование требует дорогих конструкций.
CXL (Compute Express Link) предлагает иной подход: он позволяет подключать к системе дополнительные пулы памяти через PCIe, независимо от CPU и GPU. Это даёт возможность увеличивать общую ёмкость памяти для хранения больших моделей и кэшей, не меняя архитектуру процессоров. Samsung и SK Hynix активно развивают этот стандарт, видя в нём ключевой элемент инфраструктуры ИИ следующего поколения.
| Характеристика | Традиционная DRAM (DDR5) | HBM3e | CXL‑память (новинка) |
|---|---|---|---|
| Ёмкость на модуль | до 128 ГБ | до 36 ГБ на стек | до 256 ГБ (CMM‑DDR5) |
| Пропускная способность | ~ 38,4 ГБ/с | ~ 1,2 ТБ/с на стек | до 35,7% прироста (vs DRAM) |
| Масштабируемость | Ограничена слоты CPU | Ограничена физическими стеками | Независимое масштабирование через PCIe |
| Применение в ИИ | Общие вычисления | Оптимизирован для GPU | Большие пулы для инференса и кэширования |
| Производительность (относительно DRAM) | 100% (база) | выше 100% | ~92% (по тестам Samsung) |
Сравнение CXL-решений Samsung и SK Hynix с конкурентами
| Характеристика | Samsung CMM‑D | SK Hynix CMM‑DDR5 | Micron CZ120 | Rambus CXL 3.2 |
|---|---|---|---|---|
| Ёмкость модуля | планируется (не раскрыто) | 256 ГБ | 128 ГБ | — |
| Версия CXL | CXL 3.2 | CXL 3.2 | CXL 2.0 | CXL 3.2 (чипсет) |
| Производительность (относительно DRAM) | ~92% (в тестах) | до 35,7% прирост | не раскрыто | — |
| Статус | Ожидается к концу 2026 | Образцы уже поставляются | В разработке | Чипсет доступен |
| Особенности | Интеграция с собственными контроллерами | Второе поколение | — | Серверные RDIMM |
Источник: пресс-релизы компаний, июль 2026.
Что нового в CXL-портфолио Samsung и SK Hynix
Обе компании представили конкретные продукты и результаты:
- SK Hynix CMM‑DDR5 (2‑е поколение) — модуль объёмом 256 ГБ на базе CXL 3.2. Обеспечивает высокую пропускную способность и низкую задержку. Компания уже отправила образцы ключевым заказчикам.
- Samsung CMM‑D — собственный модуль CXL, который планируется к производству до конца 2026 года. В тестах пул CXL‑памяти объёмом 1 ТБ показал 92% производительности обычной DRAM при инференсе LLM.
- Общие исследования — обе компании активно работают над стандартами и оптимизацией драйверов, чтобы CXL стал мейнстримом к 2028 году, по прогнозам аналитиков.
- Интеграция с GPU — CXL позволяет эффективно использовать память как общий кэш для нескольких ускорителей, снижая необходимость в дорогой HBM.
В совокупности эти шаги делают Samsung и SK Hynix ключевыми игроками в формировании будущего ИИ‑инфраструктуры.
Динамика рынка CXL- и HBM-памяти и позиция лидеров
По данным Yole Group и IDC, рынок HBM вырастет с $18 млрд в 2025 до $45 млрд к 2028 году. CXL-совместимые решения, по прогнозам, станут мейнстримом к 2028 году, обеспечивая дополнительный рост.